JFET特点 综上分析，可得下述结论： 1.JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，电阻 很高。 2.JFET是电压控制电流器件，iD受vGs控制。 3.预夹断前，iD与VDs呈近似线性关系，预夹断后， iD趋于饱和。 11
JFET特点 ❖ 综上分析，可得下述结论： 1. JFET栅极、沟道之间的PN结是反向偏置的，电阻 很高。 2. JFET是电压控制电流器件， iD受 vGS 控制。 3. 预夹断前， iD与vDS呈近似线性关系，预夹断后， iD趋于饱和。 11
JFET的特性曲线 1.输出特性 ÷FET的输出特性是指在栅源电压vGs一定的情况下， 漏极电流o与漏源电压vos之间的关系，即 i,=f(ns)=帝数 新夹断轨迹 cn=tes-s=Vp 0.8外 h区 N沟通JFET的输出 1区 e8=0V 0.6 A 特性。JFET的工 作情况可分为三个 预夹断点 -0.4 区域。 B -0.8 81012 16 20s/V 12
JFET的特性曲线 1．输出特性 ❖ JFET的输出特性是指在栅源电压vGS一定的情况下， 漏极电流iD与漏源电压vDS之间的关系，即 12 i D = f (vDS ) v GS =常数 N沟通JFET的输出 特性。 JFET的工 作情况可分为三个 区域
JFET的特性曲线 冬在区内，栅源电压愈负，输出特性愈倾斜，漏源间 的等效电阻愈大。因此，在区中，FET可看作一个 受栅源电压vGs控制的可变电阻，故得名为可变电阻 区。 冬川区称为饱和区或恒流区，FET用作放大电路时， 般就工作在这个区域，称为线性放大区。 ÷川区的特点是，当vos增至一定的数值，由于加到沟 道中耗尽层的电压太高，电场很强，致使栅漏间的 PN结发生雪崩击穿，io迅速上升，称为击穿区。进 入雪崩击穿后，管子不能正常工作，甚至很快烧毁。 所以，FET不允许工作在这个区域。 当vGs<vp时，io=0称为截止区（夹断区） 13
JFET的特性曲线 ❖ 在I区内，栅源电压愈负，输出特性愈倾斜，漏源间 的等效电阻愈大。因此，在I区中，FET可看作一个 受栅源电压vGS控制的可变电阻，故得名为可变电阻 区。 ❖ II区称为饱和区或恒流区，FET用作放大电路时，一 般就工作在这个区域，称为线性放大区。 ❖ III区的特点是，当vDS增至一定的数值，由于加到沟 道中耗尽层的电压太高，电场很强，致使栅漏间的 PN结发生雪崩击穿， iD迅速上升，称为击穿区。进 入雪崩击穿后，管子不能正常工作，甚至很快烧毁。 所以，FET不允许工作在这个区域。 ❖ 当vGS ＜vP时， iD=0称为截止区（夹断区）。 13
lD/mA可变电阻区 可变电阻区 击穿区 V6s=0 特点： 恒流区 (1)当Vcs为定值时，io是 -2W Vps的线性函数，管子的漏 1-3W 源间呈现为线性电阻，且 -4W 夹断区 其阻值受Vc控制。 Vos/v 8 1216 2024 (2)管压降Vos很小。 条件：源端与漏端沟道 都不夹断 用途：做压控线性电阻和无触 点的、闭合状态的电子开关。 Vos<Vol Vos<Vos-Vol 14
可变电阻区 14 特点: (1)当vGS为定值时,iD是 v DS的线性函数，管子的漏 源间呈现为线性电阻，且 其阻值受v GS控制。 （2）管压降vDS很小。 用途：做压控线性电阻和无触 点的、闭合状态的电子开关。 条件：源端与漏端沟道 都不夹断 V GS V P V DS V GS V P −
夹断区 ID/mA可变电阻区 击穿区 特点：in≈ V6s=0 用途：做无触点的、接通状 恒流区 态的电子开关。 -2W 条件：整个沟道都夹断 -3W -4W 夹断区 V≥V。 s∠y 8 121620 24 击穿区 当漏源电压增大到V三V, 时，漏端PN结发生雪崩 击穿，使o剧增的区域。其值一般为(20一50)V之间。 由于VcD=Vcs6s故Vc越负，对应的就越小。管子不 能在击穿区工作。 15
夹断区 15 用途：做无触点的、接通状 态的电子开关。 条件：整个沟道都夹断 V GS V P 击穿区 当漏源电压增大到 V DS =V( BR ) DS 时，漏端PN结发生雪崩 击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20— 50）V之间。 由于VGD=VGS-VDS, 故vGS越负，对应的VP就越小。管子不 能在击穿区工作。 特点： iD 0