3.RAM的存储单元 例:六管NMOS静态存储单元 存储 T1、T2为NMOS非门, 单元 T3、T4也为NMOS非门 (行选择线) DD 两个非门交叉连接组成 VG 基本触发器存储数据。 Ts、T为门控管。 0 T7、T8是每一列共用的 门控管。 位 (1)写入过程: 线 线 B B 例如写入“1〃 (2)读出过程: 数 数 据 例如读出“1〃 线D0 万(列选择线)1D线
V V 8 T 7 T 6 T 5 T T 线 4 位 据 （列选择线） D 3 线 1 T i Y （行选择线） j B 数 T X T DD G 2 D 线 位 B 数 线 据 3． RAM的存储单元 例： 六管NMOS静态存储单元 存储 单元 （1）写入过程： 例如写入“1” （2）读出过程： 例如 读出“1” T1、T2为NMOS非门， T3、T4也为NMOS非门， 两个非门交叉连接组成 基本触发器存储数据。 T5、T6为门控管。 T7、T8是每一列共用的 门控管。 1 1 0 0 0 1 0 1 1 0
4.片选及输入/输出控制电路 当选片信号CS=1时,G5、G输出为0,三态门G1、G2、G均处于高阻 状态,IO端与存储器内部完全隔离,存储器禁止读/写操作,即不工作。 G vO R/ G 当CS=0时,芯片被选通:当RW=1时,G输出高电平,G3被打开,被 选中的单元所存储的数据出现在ⅣO端,存储器执行读操作; 当RW=0时,G输出高电平,G1、G2被打开,此时加在O端的数据以 互补的形式出现在内部数据线上,存储器执行写操作
& & G G G C S R/W 3 4 5 1 G D D I/O G2 4. 片选及输入/输出控制电路 当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻 状态，I/O端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作。 当CS＝0时，芯片被选通：当R/W＝1时，G5输出高电平，G3被打开，被 选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作； 当R/W ＝0时，G4输出高电平，G1、G2被打开，此时加在I/O端的数据以 互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作
RAM的工作时序(以写入过程为例) WO ADD 写入单元的地址 CS R/W WP AS WR vO 写入数据 DW DH 写入操作过程如下: (1)欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端; (2)加入有效的选片信号CS; (3)将待写入的数据加到数据输入端。 (3)在RW线上加低电平,进入写工作状态 (4)让选片信号CS无效,ⅣO端呈高阻态
二. RAM的工作时序（以写入过程为例） t WC ADD 写入单元的地址 t WP CS R/W I/O 写入数据 A S t WR t D W t D H t 写入操作过程如下： （1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； （2）加入有效的选片信号CS； （3）将待写入的数据加到数据输入端。 （3）在R/W线上加低电平，进入写工作状态； （4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态
三.RAM的容量扩展 1.位扩展 用8片1024(1K)×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 o10 DIO DON vO vO VO 1024×1RAM 1024×1RAM 1024×1RAM AoA···A9RMC A0AI···A9RMCs AO A1.A9 RAC AAA R
三． RAM的容量扩展 1．位扩展 用8片1024（1K）×1位RAM构成的1024×8位RAM系统。 1024×1RAM A0 A1 A R/W C S ... I/O I/O ... 1024×1RAM A0 A1 A R/W C S ... I/O I/O 1024×1RAM A0 A1 A9 R/W C S ... I/O I/O ... A A 0 1 0 1 7 9 9 9 A C S R/W