4.1.4BJT的主要参数 3.极限参数 (I)集电极最大允许电流IcM (2)集电极最大允许功率损耗PcM PCM-ICVCE ic/mA ICM 777 PCM 过 安入 损 全 耗 工 区 作 区 0 V(BR)CEO UCE/V HOME BACK NEXT
(1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM = ICVCE 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数
4.1.4BJT的主要参数 3.极限参数 3)反向击穿电压 ·VBR)CBO— 发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 V(BR)EBO 集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 (BR)CEO 基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO (BR)CEO(BR)EBO HOME BACK NEXT
3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 (3) 反向击穿电压 V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO
4.1.5温度对BJT参数及特性的影响 1.温度对BJT参数的影响 (I)温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBo约增加一倍。 (2)温度对B的影响 温度每升高1℃，B值约增大0.5%~1%。 (③)温度对反向击穿电压L(BR)CBO'(BR)CEO的影响 温度升高时，VBR)CBO和BR)CEO都会有所提高。 2.温度对BJT特性曲线的影响 ic/mA iB=100μA 80 60 40 20 0 HOME end 8 10 UCE/V BACK NEXT
4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对 的影响 温度每升高1℃， 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度对BJT参数的影响 end
4.2共射极放大电路的工作原理 4.2. 1基本共射极放大电路的组成 Vcc UCE UBE 基本共射极放大电路 HOME BACK NEXT
4.2 共射极放大电路的工作原理 4.2.1 基本共射极放大电路的组成 基本共射极放大电路
4.2.2基本共射极放大电路的工作原理 1.静态（直流工作状态） 输入信号V:=0时， 放大电路的工作状态称 Vcc 为静态或直流工作状态。 VCEQ VBB VEE-VBEQ VBEQ K IQ=BIBo+IcEo≈MBo 直流通路 VCEO=VcC-ICoRe HOME BACK NEXT
4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理 1. 静态(直流工作状态) 输入信号vi ＝0时， 放大电路的工作状态称 为静态或直流工作状态。 直流通路 b B B BEQ B Q R V V I CQ BQ CEO βIBQ I βI I VCEQ =VCC－ICQRc