第八章 光它式传感器 电子信息及电气工程系
第八章 光电式传感器 电子信息及电气工程系
8-7光电敌应 外光电效应及器件: 外光电效应:在光线的作用下,物体内的电 子吸收光的能量逸出物体表面向外发射的现象 称为外光电效应(如光电管)。 红线频率:物体对应的光频阚值。 ∫线∫红线再大的光强也不能导致电子发射 ∫线>红线,微弱的光线即可导致电子发射
8-1 光电效应 一、外光电效应及器件： 1、外光电效应：在光线的作用下，物体内的电 子吸收光的能量逸出物体表面向外发射的现象 称为外光电效应（如光电管）。 红线频率：物体对应的光频阈值。 f光线< f红线, 再大的光强也不能导致电子发射； f光线> f红线，微弱的光线即可导致电子发射
2、外光电器件:光电管 光电阴极阳极 RL K 红外光源:银氧铯为阴极,构成红外探测器、 夜视镜等
2、外光电器件：光电管 红外光源：银氧铯为阴极，构成红外探测器、 夜视镜等
光电倍增管:可方法几万倍到几十万倍 光 K倍增极D阳极A 光 DI D3 D2 图7-5光电倍增管的外形和工作原理
光电倍增管：可方法几万倍到几十万倍
二、内光电效应及器件 1、内光电效应: 1)光电导效应:光照在物体上,使其电 阻率p发生变化的效应。即电子吸收光能后 从键合状态过度到自由状态,从而引起电导 率的变化 照射光浪长限 只有照射光波长<入方可产生内光电效应 2)光生伏特效应 势垒效应(结光电效应):接触的半导体 或PN结中,当光线照射其接触区时,引起光 电动势
二、内光电效应及器件 1、内光电效应： 1）光电导效应：光照在物体上，使其电 阻率ρ发生变化的效应。即电子吸收光能后， 从键合状态过度到自由状态，从而引起电导 率的变化。 照射光波长限： 只有照射光波长<λC方可产生内光电效应 2）光生伏特效应： 势垒效应（结光电效应）：接触的半导体 或PN结中，当光线照射其接触区时，引起光 电动势