原理 入射光照射在ⅨN结上时,若光子能量大于 半导体材料的禁带竞度E时,则在PN结内产 生电子空穴对,它们的移动使PN结产生电势 价穴 五价 空穴 电子
原理： 入射光照射在PN结上时，若光子能量大于 半导体材料的禁带宽度Eg时，则在PN结内产 生电子空穴对，它们的移动使PN结产生电势 。 - + P N 三价 空穴 五价 电子 - + + -
三、内光电效应器件 1、光敏电阻 结构 电极半导体 玻璃底板 原理:照射光强↑→R(↓→I个 光照停止,R(恢复
三、内光电效应器件 1、光敏电阻 结构： 原理：照射光强↑→RG↓→ I↑ 光照停止， RG恢复
主要参数 暗电阻:不受光照射时的电阻(大好) 亮电阻:受光照射时的电阻(小好) 暗电流:对应暗电阻的电流(小好) I,mA L,uA 伏安特性 150 光照特性 20.660Fm3 U,V 亮电流:对应亮电阻的电流(大好) 光电流:亮电流-暗电流(大好)
主要参数： 暗电阻：不受光照射时的电阻（大好） 亮电阻：受光照射时的电阻（小好） 暗电流：对应暗电阻的电流（小好） 亮电流：对应亮电阻的电流（大好） 光电流：亮电流 - 暗电流（大好） 伏安特性 光照特性
102 100 100 硫化铅 起 硫化佗 硫化俪 100010000 010150020002000 f (Hz) A(nm) 图5-3光敏电阻的光谱特性曲线 图5-4光敏电阻的频率特性曲线 特点:灵敏度高(光照后阻值急剧下降),光 谱特性好,使用寿命长,稳定,体积小 但频率低,非线性,宜用作开关量
特点：灵敏度高（光照后阻值急剧下降），光 谱特性好，使用寿命长，稳定，体积小。 但频率低，非线性，宜用作开关量