大信号特性—LD随Ⅴ的变化关系 R 非M (a) (b) DD R Vout= vop -rp hn Cur(Vin-Vrn)". D L DI-R D 2 n Cou TH)ont 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 16 大信号特性—I D 随 Vin的变化关系 D DD out D R V V I
大信号特性—gn随Vn的变化关系 M °M TH (a) (b) (b) 饱和区时gm=ACor(Vos-vm) 线性区时g= nC ox v DS L DS out VpD-RD5An Cox[ in-VTH)Vout -I 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 17 大信号特性—g m 随 Vin的变化关系 ( GS TH ) L W n ox g m C V V DS L W n ox g m C V 饱和区时 线性区时 VDS Vout
从大信号特性推导小信号增益 v M VinE 9n% v (b) 饱和区时大信号关系式 Vont VDD- RD5lnC I (Vin-Vin L a voa 小信号增益 ave 与小信号等效电 =- Run Cor(Wwn-vr)路结果一致 =-gmRD 增益随Vin的变化而变化,在信号摆幅较大时会引入非线性 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设讠
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 18 从大信号特性推导小信号增益 饱和区时大信号关系式 小信号增益 与小信号等效电 路结果一致 增益随Vin的变化而变化，在信号摆幅较大时会引入非线性
从小信号等效电路推导小信号增益 R v。M vnO"⑨9n% v TH :·R, out D out -gmRD 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 19 从小信号等效电路推导小信号增益 m D in out v out m in D g R V V A V g V R
Av的最大化 W RD OX W(V GS TH L 增大wWL;寄生电容增大,带宽减小 增大ⅴεD;输出摆幅减小 减小In;Rn会很大,输出节点时间常数增 北京大学微电子学系一陈中建一模拟集成电路原理与设计
北京大学微电子学系－陈中建－模拟集成电路原理与设计 20 Av的最大化 A v gm RD A v 2 n Cox W L VRD ID ( GS TH ) L W n ox g m C V V 增大W/L；寄生电容增大，带宽减小 增大 VRD；输出摆幅减小 减小 I D；R D会很大，输出节点时间常数增大