简单回顾半导体电子论·半导体中的杂质：提供禁带内的束缚能级FT-OIT>O导带导带具受主施主H满带满带(a)N型(b)P型·对于N型半导体，在杂质激发的范围内，电子的浓度远大于空穴因此E=应在带隙的上半部，接近导带；而在P型半导体中，空穴浓度远多于电子，E应在带隙下半部，接近于价带
简单回顾半导体电子论 • 半导体中的杂质：提供禁带内的束缚能级 • 对于N型半导体，在杂质激发的范围内，电子的浓度远大于空穴， 因此𝐸𝐹应在带隙的上半部，接近导带；而在P型半导体中，空穴浓度 远多于电子，𝐸𝐹应在带隙下半部，接近于价带
简单回顾半导体电子论·PN结P型N型E(EF)NCEE.EFD'PN
简单回顾半导体电子论 • PN结