熔焊工艺及设备第四章电孤焊自动控制基础(2)无触点程序控制这是一种利用晶体管门电路和晶闸管等功率开关等构成的程序控制系统，已在专用弧焊设备中得到应用。(3)数字程序控制这是一种应用单片微型计算机制成的程序控制系统，它具有更大的机动灵活性，已经成为专用焊接设备和弧焊机器人等主要的程序控制方式Schoolof Material Science& Engineering江苏科技大学材料学院
熔焊工艺及设备 School of Material Science & Engineering 江苏科技大学材料学院 第四章 电弧焊自动控制基础 (2)无触点程序控制 这是一种利用晶体管门电路和晶闸管等功率 开关等构成的程序控制系统，已在专用弧焊设备 中得到应用。 (3)数字程序控制 这是一种应用单片微型计算机制成的程序控 制系统，它具有更大的机动灵活性，已经成为专 用焊接设备和弧焊机器人等主要的程序控制方式
熔焊工艺及设备第四章电孤辉自动控制基础4.1.3电弧焊程序控制的基本环节及其实现方法电弧焊程序控制包括延时、引弧和熄弧等基本环节。每个环节中都有多种实现方法，1.延时控制环节电弧焊时，经常有延时关断保护气延时关断电源等工艺要求，此时，需要在程序自动控制中加入延时控制环节。常见的电路结构有：(1)并联电容式(②）晶体管式Schoolof Material Science& Engineering江苏科技大学材料学院
熔焊工艺及设备 School of Material Science & Engineering 江苏科技大学材料学院 第四章 电弧焊自动控制基础 4.1.3电弧焊程序控制的基本环节及其实现方法 电弧焊程序控制包括延时、引弧和熄弧等基本 环节。每个环节中都有多种实现方法。 1.延时控制环节 电弧焊时，经常有延时关断保护气、 延时关断电源等工艺要求，此时，需要在程 序自动控制中加入延时控制环节。常见的电 路结构有： (1)并联电容式 (2)晶体管式
熔焊工艺及设备第四章电孤焊自动控制基础SB1a SB22-1~36V图4-3为0K1一直流继电器KT1并联电容Cb-1后构成的延时继电器Ki3-2K, b-2c-2R当按下按钮SBI1时，中间立KT继电器K动作，2-2VD3-1c-1CKT1因电容C的充电过程延时继电器而延时吸合。UK1当按下按钮SB2时，K1释放，KT1释放，KT1因C的KTi亚YV放电过程而延时断开S这样KT1具有了延时吸合和电磁气阀延时断开的双重功能图4一3并联电容延时电路图中YV是电磁气阀利用该电路可以实现提前送气和滞后停气通过调电阻R、电容C，可以改变延时时间该电路的缺点是延时精度易受网压波动的影响。Schoolof Material Science& Engineering江苏科技大学材料学院
熔焊工艺及设备 School of Material Science & Engineering 江苏科技大学材料学院 第四章 电弧焊自动控制基础 图4－３并联电容延时电路 图4-３为 一直流继电器KT1并联电容C 后构成的延时继电器。 • 当按下按钮SB1时，中间 继电器K1动作， • KT1因电容C的充电过程 而延时吸合。 • 当按下按钮SB2时，K1释 放，KT1释放，KT1因C的 放电过程而延时断开 这样KT1具有了延时吸合和 延时断开的双重功能。 图中YV是电磁气阀， 延时继电器 1 2-1 2-2 3-1 3-2 a b-1 b-2 c-1 c-2 电磁气阀 利用该电路可以实现提前送气和滞后停气。 通过调电阻R、电容C，可以改变延时时间。 该电路的缺点是延时精度易受网压波动的 影响
熔焊工艺及设备第四章电孤焊自动控制基础(2)晶体管式晶体管式延时电路具有控制精度高、调节方便等优点。常用的电路有以下几种：1单结晶体管式当合上开关S时电源接通，由整流桥VD1一4整流和稳压管VS稳压的控制电压经R6、R4向电容C2充电，当C2两端的电压达到单结晶体管V的导通电压时，单结晶体管V导通，使继电器KT吸合（在此之前由R1和KT线圈构成的通路中的电流不能够使KT吸合）。C2的充电时间即为KT的延时吸合时间变动R6可以调节这一时间。KT动作后，C2被R5短接，以免C2重复充电。当切断电源时，KT立即释放。R61合上R22Up整流UAR4RYR3VS本TS4KTTYb LVD4CV导UbR5~36VFip1通3O负阻区饱和区截止区52KT充导电SchoolofMaterial Science&Engineering通图5-29单结晶体管
熔焊工艺及设备 School of Material Science & Engineering 江苏科技大学材料学院 第四章 电弧焊自动控制基础 (2)晶体管式 晶体管式延时电路具有控 制精度高、调节方便等优点。常用的电路有以 下几种： 1 合 上 2 整 流 3 充 电 4 导 通 5 导 通 1)单结晶体管式 当合上开关S时电源接通，由整流桥VD1－４整流和稳压管 VS稳压的控制电压经R6、R4向电容C2充电，当C2两端的电压达到单结晶体管V 的导通电压时，单结晶体管V导通，使继电器KT吸合(在此之前由R1和KT线圈 构成的通路中的电流不能够使KT吸合)。C2的充电时间即为KT的延时吸合时间， 变动R6可以调节这一时间。KT动作后，C2被R5短接，以免C2重复充电。当切 断电源时，KT立即释放。 UP P 截止区 负阻区 饱和区 IP IV UV V UA 图5-29 单结晶体管
熔焊工艺及设备第四章电孤焊自动控制基础2)晶闸管式，原理同上，只是R2RLR3用晶闸管VT作为输出开关。KIKT小电流下导通，不吸合，RsVD1R4大电流下导通本vs手C2~36VVU+VT本VS251R6RVD23晶体管式其电路如图4一4c所示。利用电容C2充放电来RVD1控制晶体管V的基极电流，进而VDKTVD4控制其集电极电流，实现继电器R2R336VAKTVC2CT的延时吸合。利用同样原理也可T设计延时断开电路。School of Material Science & Engineering江苏科技大学材料学院
熔焊工艺及设备 School of Material Science & Engineering 江苏科技大学材料学院 第四章 电弧焊自动控制基础 3)晶体管式 其电路如图4－ ４ｃ所示。利用电容C2充放电来 控制晶体管V的基极电流，进而 控制其集电极电流，实现继电器 的延时吸合。利用同样原理也可 设计延时断开电路。 2)晶闸管式 原理同上，只是 用晶闸管VT作为输出开关。 KT小电流下导通，不吸合， 大电流下导通