极管构成的门电路的缺点电平有偏移带负载能力差只用于IC内部电路11
11 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路
3.3CMOS门电路￥灶3.3.1MOS管的开氧化物层金属层MOS管的给半导体层OdogOSSio,D0Od绝缘层NNOBOBOnOoP(衬底)osdsP沟道N沟道OB(b)(a)PN结S（Source）：源极G（Gate）：栅极D（Drain）：漏极B(Substrate)：衬底12
12 3.3 CMOS门电路 3.3.1 MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 金属层 氧化物层 半导体层 PN结
以N沟道增强型为例：UDSIDUGS+SiODSGDN+N+BP型衬底(B)S13
13 以N沟道增强型为例：
开启电压以N沟道增强型为例：当加+Vps时VGs=O时，D-S间是两个背向PN结串联，ip=0加上+VGs，且足够大至VGs>VGs(th)，D-S间形成导电沟道（N型层）VTTLNN电子耗尽层反型层PpIBIB(a)(b)14
14 以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS >VGS (th), D-S间形成导电沟道 （N型层） 开启电压
输入特性和输出特性输人特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容C，对动态有影响，输出特性：i=f（Vps）对应不同的VGs下得一族曲线iDl十iD5VUDS4VUGS3VUGs=2VUDS(b)(a)15
15 二、输入特性和输出特性 输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。 输出特性： iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线