5.3.1 Construction and Operation of JFET 1.Construction and Symbol N-JFET结构演示 g d 金属铝 漏极 od 栅极 导电 g 道 源极 N沟道管 P沟道管 高浓度P区(a)N沟道-N-channel (b)符号 D(Drain)-漏极，G(Gate)-栅极，S(Source)-源极
＋ ＋ N沟道 - N-channel 符号 5.3.1 Construction and Operation of JFET 1. Construction and Symbol 漏极 栅极 源极 导 电 沟 道 SiO2 金属铝 高浓度P区 N-JFET结构演示 D (Drain) -漏极，G (Gate) -栅极，S (Source) -源极
◆两个PN结夹着一个导电沟道(N沟道P沟道) ◆三个电极： g(栅极) d(漏极) s(源极) o d PN结 PN结 g 型导电沟道 d o P型导电沟道 ◆符号中的箭头方向表示：PN结正偏方向(P→N)
- - - p + + p d s g N d s g - - - N+ +N d s g P d s g ◆两个PN结夹着一个导电沟道(N沟道/P沟道) ◆三个电极： g(栅极) d(漏极) s(源极) ◆符号中的箭头方向表示：PN结正偏方向 (PN) 。 N 型 导 电 沟 道 PN结 PN结 P 型 导 电 沟 道
2.Operation of JFET(以N-JFET为例) (1)Vcs对沟道的控制作用：Vcs<0,VDs=0 ①当Vcs=0时，导电沟道最宽。 ②当Vcs↓时，PN结反偏，耗 尽层变宽，导电沟道变窄，沟 道电阻增大。 ③当VGs↓到一定值时，沟道 完全合拢。 ◆夹断电压Vp使导电沟道完 全合拢时对应的栅源电压VGs
2. Operation of JFET ( 以N-JFET为例 ) (1) VGS对沟道的控制作用: VGS <0，VDS =0 ①当 VGS =0 时 ,导电沟道最宽。 ②当 VGS ↓ 时, PN结反偏, 耗 尽层变宽, 导电沟道变窄, 沟 道电阻增大。 ③当 VGS ↓到一定值时 ,沟道 完全合拢 。 ◆夹断电压 VP :使导电沟道完 全合拢时对应的栅源电压 VGS . N g d s p+ VGG p+ p s d + g GG N V p+ N GG g + s d p V p+
Vcs对沟道的控制作用：Vcs<0,VDs=0 VGs VGs VGs 'Gs0,沟道最宽 Vcs↓，沟道变窄 Vcs=V,沟道夹断 ◆V,-Pinch off Voltage(夹断电压) ◆N-JFET:V,<0。P-JFET:Vp>0
VGS对沟道的控制作用: VGS <0，VDS =0 VGS =0,沟道最宽 VGS ↓,沟道变窄 VGS = VP ,沟道夹断 ◆ VP - Pinch off Voltage (夹断电压 ) ◆N－JFET: VP <0。P－JFET: VP >0
(2)VDs对沟道的控制作用：Vcs=O,VDs>0 ① 当VDs=0时，b=0。 ②VDs↑→Io↑→G、D间 PN结的反向电压最大，使靠 近漏极处的耗尽层加宽，沟 道变窄，呈楔形分布。 ③当VDst到VGD=Vp时，在 靠漏极处夹断一预夹断。 ④VDs再↑，预夹断点下移， 夹断区延长 ◆预夹断前，VDs↑→bt. ◆预夹断后，Vs↑→n几乎不变
(2)VDS对沟道的控制作用: VGS =0，VDS >0 ① 当VDS =0时， iD =0。 ② VDS ↑→ID ↑→ G、D间 PN结的反向电压最大, 使靠 近漏极处的耗尽层加宽, 沟 道变窄，呈楔形分布。 ③当VDS ↑到VGD =VP时, 在 靠漏极处夹断—预夹断。 ◆预夹断前, VDS↑→ID ↑. ◆预夹断后， VDS↑→ID 几乎不变。 ④ VDS再↑, 预夹断点下移， 夹断区延长 N g d s p+ p+ id VDD d s N g id p+ p+ VDD N g s d id VDD p+ p+ s id g V d DD p+ p+