第五章数字ASIC设计特点 5.1信号的分类 静态同步ASIC中的所有信号可以分为以下三种:时钟、控制信号 和数据。 1.简单的时钟信号用于控制所有的边缘敏感触发器;不受任何其 他信号的控制。 2.控制信号,如“允许”和“复位”,用于使电路元件初始化、 使之保持在当前状态、在几个输入信号间作出选择或使信号通到另外的 输出端。若干控制信号可以全部来自同一个允许产生器,但受到状态计 数器的控制。 3.数据信号中含有数据,它可以是一些单独的比特,也可以是总 线中的并行数据。 5.2驱动能力、绝对扇出和相对扇出 从概念上讲,一片ASIC由若 干功能单元(部件或门)组成,每 一单元有一个或多个输入信号 并产生一个或多个输出信号。从 电性能看,每一输出信号受一定 强度的驱动,即具有一定的驱动 能力,它决定于此部件的晶体管 结构。类似地,每一输入端在驱 图5-1驱动4个反相器的反相器 动它的部件(或外部输入端)上加 了一定的负载。像驱动能力一样
第五章 数字 ASIC 设计特点 5.1 信号的分类 静态同步 ASIC 中的所有信号可以分为以下三种：时钟、控制信号 和数据。 1. 简单的时钟信号用于控制所有的边缘敏感触发器；不受任何其 他信号的控制。 2. 控制信号，如“允许”和“复位”，用于使电路元件初始化、 使之保持在当前状态、在几个输入信号间作出选择或使信号通到另外的 输出端。若干控制信号可以全部来自同一个允许产生器，但受到状态计 数器的控制。 3. 数据信号中含有数据，它可以是一些单独的比特，也可以是总 线中的并行数据。 5.2 驱动能力、绝对扇出和相对扇出 从概念上讲，一片 ASIC 由若 干功能单元(部件或门)组成，每 一单元有一个或多个输入信号， 并产生一个或多个输出信号。从 电性能看，每一输出信号受一定 强度的驱动，即具有一定的驱动 能力，它决定于此部件的晶体管 结构。类似地，每一输入端在驱 动它的部件(或外部输入端)上加 了一定的负载。像驱动能力一样， 图 5-1 驱动 4 个反相器的反相器
负载也取决于部件的晶体管结 构。 通常,单位负载和单位驱动 能力是由一个反相器(图4-3)产 生的。反相器的输出定义为具有 单位驱动能力,而其输入则定义 为在驱动它的任何电路上加有 图5-2驱动能力为4的反相器 单位负载。 每一个输出端驱动一个或多 个其他部件的输入端,或连接到外部输出端。原先,“扇出”一词指从 个输出端引出的这种连接的数目,但是现在它应该计算加到每一连接 线上的等效单位负载数目。由被 驱动部件和外部输出加成的负载 总和是驱动部件输出端的“绝对 扇出”。图5-1示出一个驱动其他 4个反相器的反相器,4个反相器 均是单位负载。这样,它给出的 绝对扇出为4。 通常,“扇入”一词仍保持其 原来含意,即连接到一部件上的 输入端数目。例如,一个3输入 图5-3驱动12个反相器的缓冲器 端“与”门具有的扇入为3。 有些CMS部件的驱动能力小于1,这时常使用反相缓冲器增强这 种部件的驱动能力。图5-2示出一缓冲器,它等效于4个反相器并联 此部件的驱动能力为4(并且作为负载也等于4)
负载也取决于部件的晶体管结 构。 图 5-2 驱动能力为 4 的反相器 通常，单位负载和单位驱动 能力是由一个反相器(图 4-3)产 生的。反相器的输出定义为具有 单位驱动能力，而其输入则定义 为在驱动它的任何电路上加有一 单位负载。 每一个输出端驱动一个或多 个其他部件的输入端，或连接到外部输出端。原先，“扇出”一词指从 一个输出端引出的这种连接的数目，但是现在它应该计算加到每一连接 线上的等效单位负载数目。由被 驱动部件和外部输出加成的负载 总和是驱动部件输出端的“绝对 扇出”。图 5-1 示出一个驱动其他 4 个反相器的反相器，4 个反相器 均是单位负载。这样，它给出的 绝对扇出为 4。 图 5-3 驱动 12 个反相器的缓冲器 通常，“扇入”一词仍保持其 原来含意，即连接到一部件上的 输入端数目。例如，一个 3 输入 端“与”门具有的扇入为 3。 有些 CMOS 部件的驱动能力小于 1，这时常使用反相缓冲器增强这 种部件的驱动能力。图 5-2 示出一缓冲器，它等效于 4 个反相器并联。 此部件的驱动能力为 4(并且作为负载也等于 4)
图5-3给出一个驱动能力为4的缓冲器,它连接了12个反相器 给出绝对扇出为12。另外一个很有用的概念是相对扇出——绝对扇出 和驱动能力之比。图5-3中电路结点的相对扇出为3。 电路中任一结点处的相对扇出为: 相对扇出。绝对扇出 驱动能力 不像TTL电路,CMOS的扇出没有固定的限制。然而,结点的相对扇出 决定着它的若干特性,特别是决定其电路延迟。ASIC性能要求给予相 对扇出一个上限,它和生产工艺过程有关,通常在8至16之间 5.3电路延迟 CMoS电路中的延迟基本上是两部分延迟之和 电路延迟=传送延迟+惰性延迟 ASIC设计中许多门级模拟 程序就是根据这一简单模型设计 迟 的 传送延迟是由于栅极下面的惰性延迟 耗尽层充电和放电需要时间产生 的。它取决于栅的类型,供电电传送延 压,温度和工艺过程参数。通常, 相对扇出 温度愈高则载流子的迁移率愈 图5-4电路延迟 低、电阻愈高,故延迟愈长。供 电电压低和驱动输入的上升时间
图 5-3 给出一个驱动能力为 4 的缓冲器，它连接了 12 个反相器， 给出绝对扇出为 12。另外一个很有用的概念是相对扇出——绝对扇出 和驱动能力之比。图 5-3 中电路结点的相对扇出为 3。 电路中任一结点处的相对扇出为： 限制。然而，结点的相对扇出 基本上是两部分延迟之和： ASIC 设计中许多门级模拟 送延迟是由于栅极下面的 电电压低和驱动输入的上升时间 驱动能力 绝对扇出 相对扇出 = 不像 TTL 电路，CMOS 的扇出没有固定的 决定着它的若干特性，特别是决定其电路延迟。ASIC 性能要求给予相 对扇出一个上限，它和生产工艺过程有关，通常在 8 至 16 之间。 5.3 电路延迟 CMOS 电路中的延迟 电路延迟 = 传送延迟 + 惰性延迟 程序就是根据这一简单模型设计 的。 传 耗尽层充电和放电需要时间产生 的。它取决于栅的类型，供电电 压，温度和工艺过程参数。通常， 温度愈高则载流子的迁移率愈 低、电阻愈高，故延迟愈长。供 图 5-4 电路延迟
长也使传送延迟增加。某些设计工具中的模拟程序的编写可以使其运行 于不同的状态,即慢(高温度,低供电电压)、快(低温度,高供电电压) 和标准三种状态。ASIC工厂有时要求设计者在慢和快状态下对电路做 模拟后再提交生产。 惰性延迟产生的主要原因是输出电路的电容和驱动门的内阻抗。惰 性延迟和传送延迟一样,也受环境变化的影响,但是它正比于结点的相 对扇出。在图5-4中给出总延迟和惰性延迟、传送延迟及相对扇出的关 系。相应的公式为 总延迟=传送延迟十(单位负载的惰性延迟x相对扇出) 惰性延迟长的影响除使总电路延迟增大外,还使上升时间和下降时 间增大 5.4扇入的影响 在选择门的时候,要考 虑扇入的影响。一个门的扇 入和其驱动能力之间有 定关系。例如,让我们考虑 图4-6和图5-5中的电路。 图中给出了2输入端和3输 入端“与非”门的晶体管电 路结构。 图5-53输入端“与非”门 比较图4-6和图5-5可 以看出,一个2输入端与非
长也使传送延迟增加。某些设计工具中的模拟程序的编写可以使其运行 于不同的状态，即慢(高温度，低供电电压)、快(低温度，高供电电压) 和标准三种状态。ASIC 工厂有时要求设计者在慢和快状态下对电路做 模拟后再提交生产。 惰性延迟产生的主要原因是输出电路的电容和驱动门的内阻抗。惰 总延迟＝传送延迟十(单位负载的惰性延迟 x 相对扇出) 性延迟长的影响除使总电路延迟增大外，还使上升时间和下降时 间增 扇入的影响 4-6 和图 5-5 可 性延迟和传送延迟一样，也受环境变化的影响，但是它正比于结点的相 对扇出。在图 5-4 中给出总延迟和惰性延迟、传送延迟及相对扇出的关 系。相应的公式为： 惰 大。 5.4 在选择门的时候，要考 虑扇入的影响。一个门的扇 入和其驱动能力之间有一 定关系。例如，让我们考虑 图 4-6 和图 5-5 中的电路。 图中给出了 2 输入端和 3 输 入端“与非”门的晶体管电 路结构。 比较图 图 5-5 3 输入端“与非”门 以看出，—个 2 输入端与非
门作为负载,从正电源向源极消耗电流的能力和一反相器的能力相同。 若两个输入都是逻辑0,因为有两个p型晶体管的并联电阻,故从低至 高的源阻抗是基本反相器的 半。然而,它的两个输入由逻辑 0变为逻辑1时,两个串联n型 管导通,其导通电阻是反相器的 两倍,使输出端高电位下降速度 比反相器也慢一倍,即自高向低 过渡有两倍的延迟。 比较图4-6和图5-5可见, 图5-63输入端“或非”门 从第三个n型晶体管来的另一串 联电阻进一步降低3输入端“与非”门的n型管的通过电流能力(至基 本反相器的三分之一)。 图4-7和图5-6示出2输入端“或非”门和3输入端“或非”门的 结构。因为p型载流子的迁移率较低,因此这些门与其“与非”门等效 电路相比,性能较低。为了得到高性能电路,建议:和或非门相比,优 先选用:与非门。 5.5边缘缓慢 在基本反相器中,电流与输入电压的关系示于图4-4。由图可见, 当输入电压在高和低之间变化时,将有一大电流出现。所以若边缘平缓 将使大瞬态电流出现时间拖长。 当信号是一个加到边缘敏感部件的时钟时,上升时间长的后果更为 严重。制造硅片时,工艺过程尽量保持稳定不变。然而,有些工艺过程 的条件限制使硅片各部位之间必然有所不同。工厂通常使最好的器件不
门作为负载，从正电源向源极消耗电流的能力和一反相器的能力相同。 若两个输入都是逻辑 0，因为有两个 p 型晶体管的并联电阻，故从低至 高的源阻抗是基本反相器的一 半。然而，它的两个输入由逻辑 0 变为逻辑 1 时，两个串联 n 型 管导通，其导通电阻是反相器的 两倍，使输出端高电位下降速度 比反相器也慢一倍，即自高向低 过渡有两倍的延迟。 ”门的 n 型管的通过电流能力(至基 比较图 4-6 和图 5-5 可见， 从第三个 n 型晶体管来的另一串 联电阻进一步降低 3 输入端“与非 本反相器的三分之一)。 图 5-6 3 输入端“或非”门 图 4-7 和图 5-6 示出 2 输入端“或非”门和 3 输入端“或非”门的 结构。因为 p 型载流子的迁移率较低，因此这些门与其“与非”门等效 电路相比，性能较低。为了得到高性能电路，建议：和或非门相比，优 先选用：与非门。 5.5 边缘缓慢 在基本反相器中，电流与输入电压的关系示于图 4-4。由图可见， 当输入电压在高和低之间变化时，将有一大电流出现。所以若边缘平缓 将使大瞬态电流出现时间拖长。 当信号是一个加到边缘敏感部件的时钟时，上升时间长的后果更为 严重。制造硅片时，工艺过程尽量保持稳定不变。然而，有些工艺过程 的条件限制使硅片各部位之间必然有所不同。工厂通常使最好的器件不