2.输出特性曲线：ic AvcE))iB=cost(以g=60uA说明) *当uce=0V时，因集电极无收集作用，ic=0。 *ucE个→Le个。 输出特性曲线动画演示 *uCE>1V后，收集电子 Ic(mA) 的能力足够强，这时发 /B=100uA 射到基区的电子都被集 IB=80uA /B=60uA 电极收集形成Ic.所以 IB=40uA ucE再↑而ic基本保持 IB=20uA Ig-0 不变。 -UCE (V) *同理，可作出=其他值的曲线
2.输出特性曲线: iC =f(vCE ) iB=const (以iB =60uA说明) iC CE (V) (mA) IB =60uA u 当uCE =0 V时, 因集电极无收集作用, iC =0。 uCE →Ic 。 uCE ＞1V后, 收集电子 的能力足够强, 这时发 射到基区的电子都被集 电极收集形成Ic . 所以 uCE 再↑而iC 基本保持 不变。 同理，可作出iB =其他值的曲线。 B=0 IB I =20uA IB =40uA IB =80uA IB =100uA 输出特性曲线动画演示
◆输出特性曲线分为三个区域 *饱和区：在该区域内wcE<0.7V,ic受uCE显著控制。 此时发射结正偏，集电结也正偏。 *截止区：接近零的 ic(mA 区域，即i=O的曲线 饱和区 放大区 00uA 的下方.此时发射结 IB=80uA 反偏，集电结反偏。 IB=60uA *放大区：曲线基本平 IB=40uA 行等距.比时J正偏， IB=20uA Jc反偏.该区中有： 0 CE (V) △Mc=BIB 截止区
饱和区: 在该区域内uCE＜0.7 V， iC受uCE显著控制。 此时发射结正偏，集电结也正偏。 截止区: iC接近零的 区域, 即iB =0的曲线 的下方. 此时发射结 反偏, 集电结反偏。 放大区:曲线基本平 行等距. 此时JE正偏， JC反偏. 该区中有： C B ＝ II ◆ 输出特性曲线分为三个区域 iC IB IB=0 uCE (V) (mA) =20uA IB =40uA IB =60uA IB =80uA 饱和区 放大区IB =100uA 截止区
4.1.4BJT的主要参数 1.电流放大系数 (1)共发射极电流放大系数 ic (mA) 直流B= IB=100uA IR VCE=const IB =80uA IB =60uA △名 IB =40uA Aic 交流B △is vCE=const IB =20uA IB=0eE( ◆可在输出特性曲线上求取B和B
4.1.4 BJT的主要参数 1.电流放大系数 i CE △ =20uA (mA) B =40uA I C u =0 (V) =80uA I △ B B IB Bi IB I =100uA C IB =60uA i (1)共发射极电流放大系数 B C I I 直流 vCE=const B C i i 交流 ＝ vCE=const ◆可在输出特性曲线上求取 和
的求取方法 *在输出特性曲线上作垂直于X轴的直线(vcE=const) 来求取Ic/IB· *B的特点：在放大区基本不变，在I。较小或I较大时， 会有所减小。 Ic/mA. Ic/mA e 500A 6=7V 30 d 400μA 304 B=Ic/I d e 300μA 20 b 200μA 204 6 10H a B=100μA 10 0μA 1B/uA 10 15 20 0 100200300400500
在输出特性曲线上作垂直于X轴的直线 ( vCE =const ) 来求取IC / IB . 的特点: 在放大区基本不变, 在IC 较小或IC 较大时, 会有所减小。 B C I I vCE=const ◆ 的求取方法
◆求B=4 Ic/mA s VCE=const *在特性曲线上作垂直于X Q△三1B1-l2 △c 轴的直线，求取△IcJ△IB。 B2 例4已知输出特性曲线 UCEQ →UcE/W B= c= 2.3mA =38 60A ic (mA) 2.3 IB=100uA Aic IB =80uA ∠iB /B=60uA (2.3-1.5)mA △名 40 △id I=40uA (60-40)A IB =20uA 阝≈B,可不加区分 1⑤ IB=0-uCE (V)
在特性曲线上作垂直于X 轴的直线, 求取IC /IB 。 B C i i ◆求 ＝ vCE=const i CE △ =20uA (mA) B =40uA I C u =0 (V) =80uA I △ B B IB Bi IB I =100uA C IB =60uA i 2.3 1.5 38 60 3.2 I I A mA B C 40 )5.13.2( i i A40)-(60 mA B C ＝ 例4 已知输出特性曲线 ,可不加区分