7、三极管放大作用 若△y=20mV Ic+△ic 使△iB=20A IB+△iBb R△vo 1k2 设=0.98 + △yBE+VBE e D△ 则Aic=B·△ IEt△iE a·4ie=0.98mA 1- 共射极放大电路 △vo=-△icR=-0.98V 电压放大倍数A= 4vo=-0.98V -49 负值？ △y 20mV
+ - b c e RL 1k 共射极放大电路 7、三极管放大作用 VBB VCC VBE IB IE IC + - vI vBE + vO + - +iC +iE +iB 电压放大倍数 49 98.0 v v A 20mV V I O V vO = －iC • RL = －0.98 V 若 vI = 20mV 使 iB = 20 uA 设 = 0.98 B mA C B 98.0i 1 ii 则 负值？
IEtAiE e I+△ic △EB+VEB-b R △ lB+△iB 1k2 共基放大电路 VEE Vcc 若△y=20mV,使△iE=-1mA,当a=0.98时， 则△ic=o△iE=-0.98mA,△yo=-AicR=0.98V. 电压放大倍数 A=A0= 0.98V =49 △y 20mV
共 基 放 大 电 路 RL e c b 1k VEE VCC VEB IB IE IC + - vI vEB + vO + - +i +iE C +iB 若 vI = 20mV， 电压放大倍数 49 20mV V98.0 I O V v v A 使 iE = －1 mA， 则 iC = iE =－0.98 mA，vO = －iC• RL = 0.98 V. 当 = 0.98 时
4.1.3BJT的特性曲线 1.三极管共射特性曲线测试电路 ◆输入特性曲线：ByE) vCE=const ◆输出特性曲线：ic=fvcE)B-const BB BE
4.1.3 BJT的特性曲线 1. 三极管共射特性曲线测试电路 ◆输入特性曲线: iB =f(vBE ) vCE=const ◆输出特性曲线: iC =f(vCE ) iB=const + - + - mA V V μA IC IB VBE VCE + - + Rb RC VBB VCC -
2.输入特性曲线-ig-fvBE)vCE=const IB(uA) 'cE≥1 80 VCE=1V 6E=0V V CE 40 V BE 0.20.40.60.8 uBE(V) *vCE=OV时（两个PN结并联）相当于发射结的正向伏安 特性曲线。 *vCE=IV时，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基 区复合减少，同样的E下，减小，特性曲线稍微右。 *vcE≥IV再增加时，曲线右移很不明显
2. 输入特性曲线－iB =f(vBE ) vCE=const 0.2 0.4 i (V) (uA) BE 80 40 0.80.6 B u i - v BE + - v B T CE + C i vCE =0V时(两个PN结并联)相当于发射结的正向伏安 特性曲线。 uCE=0V v CE =1V vCE ≥1V 再增加时, 曲线右移很不明显。 vCE =1V时, 集电结已进入反偏状态,开始收集电子,基 区复合减少, 同样的vBE下, iB减小, 特性曲线稍微右。 vCE≥1
*实际vCE≥1V.取vCE=1V的曲线为输入特性曲线 *特性曲线的3个部分：死区、非线性区和线性区 ◆死区电压VTH=0.1V(锗)/0.5V(硅) ◆导通压降VE=0.3V(锗)/0.7V(硅) IB(uA) 非线性区 80 VCE =1V 死区 0 线性区 0.20.40.60.8 UBE(V)
0.2 0.4 i (V) (uA) BE 80 40 0.80.6 B u v CE ＝1V 实际 vCE ≥1V. 取vCE ＝1V的曲线为输入特性曲线 死区 非线性区 线性区 特性曲线的3个部分: 死区、非线性区和线性区 ◆死区电压VTH＝0.1V(锗)/0.5V(硅) ◆导通压降VBE＝0.3V(锗)/0.7V(硅)