2V 。T27 例2测得放大器 中6只晶体管的直 T 3.71 12.7V 流电位如图.在图 中画出管子，并分 o12V o12V 912V 别说明它们是Si 管还是Ge管。 0 0 2.2V 15V 11.8V O148V 管号 T T T3 T4 T5 T。 上 e e b b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料 Si Si Si Ge Ge Ge
e b c PNP Si c b e NPN Si e b c NPN Si b e c PNP Ge c e b PNP Ge b e c NPN Ge 管号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 中 下 管型 材料 例2 测得放大器 中6只晶体管的直 流电位如图. 在图 中画出管子, 并分 别说明它们是 Si 管还是Ge管
4.内部载流子的传输过程NPN管共射接法为例) ◆发射结正偏：由VBB、Rb保证 C ◆集电结反偏：由VCC、VBB保证 c区 VCB=VCE-VBE b区 b 动画演示 BJT内部载流 e区 子的传输过程 e 共发射极接法
4. 内部载流子的传输过程(NPN管共射接法为例） N N P V BB VCC Rb R C e b c 共发射极接法 c区 b区 e区 ◆发射结正偏: 由VBB、 Rb保证 ◆集电结反偏: 由VCC、VBB保证 VCB =VCE - VBE 动画演示 BJT内部载流 子的传输过程
()发射区向基区扩散电子→发射极电流！E ◆J正偏→发射区的电子向 基区扩散，并不断从电源补 N 充电子→形成扩散电流IE。 ◆同时基区的空穴向 b 发射区扩散→形成 电流Ep VBB 因基区薄且掺杂浓度 很低IEp<EN→发射极电流IE≈IN
N N P V BB VCC Rb R C e b c (1) 发射区向基区扩散电子发射极电流I E IEN EP I IE ◆ 因基区薄且掺杂浓度 很低IEP IEN 发射极电流I E≈I EN 。 ◆ 同时基区的空穴向 发射区扩散形成 电流IEP . ◆ Je正偏 发射区的电子向 基区扩散, 并不断从电源补 充电子形成扩散电流IEN
(2)电子在基区的复合与扩散→IB趴N ◆从发射区扩散到基区 的电子，少数与基区 N 的空穴复合，并不断 由基极电源拉走电子 b 而补充空穴→形成电 EN 流IBN VBB ◆没复合的大部分电子 继续向集电区扩散
N N P V BB VCC Rb R C e b c (2) 电子在基区的复合与扩散 I BN IEN EP I IE ◆ 从发射区扩散到基区 的电子, 少数与基区 的空穴复合, 并不断 由基极电源拉走电子 而补充空穴形成电 流IBN . BI IBN ◆没复合的大部分电子 继续向集电区扩散
(3)集电区对发射区扩散电子的收集 ◆因为集电结反偏，将扩散 CN 到集电区边缘的电子拉入 集电区→形成电流IcN。 b ◆集电区的少子向基区 VBB 漂移→漂移电流ICBO。 e
IEN EP I IE BI CN I CI CBO ◆ 因为集电结反偏 I , 将扩散 到集电区边缘的电子拉入 集电区形成电流ICN 。 ◆集电区的少子向基区 漂移漂移电流ICBO。 N N P V BB VCC Rb R C e b c (3)集电区对发射区扩散电子的收集 IBN