4.半导体三极管的结构特点 发射结 集电结 ◆发射区的掺杂浓度 发射区 最高； ◆集电区掺杂浓度低 于发射区，且集电 结面积大； 集电区 基区 NPN管结构剖面图 ◆基区掺杂浓度最低且制造得很薄，厚度一般在几个 微米至几十个微米
◆发射区的掺杂浓度 最高； ◆集电区掺杂浓度低 于发射区，且集电 结面积大； ◆基区掺杂浓度最低且制造得很薄, 厚度一般在几个 微米至几十个微米。 4. 半导体三极管的结构特点 NPN管结构剖面图 集电区 基区 发射区 发射结 集电结
4.1.2BJT的放大原理 1.BJT放大作用的条件 ◆BJT实现放大作用是在一定的外部条件控制下， 通过载流子传输体现出来的。 ◆实现放大作用的条件 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 内部条件：发射区高掺杂，基区很薄。 ◆发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子
4.1.2 BJT的放大原理 1. BJT放大作用的条件 ◆实现放大作用的条件 外部条件: 发射结正偏，集电结反偏。 内部条件: 发射区高掺杂，基区很薄。 ◆ BJT实现放大作用是在一定的外部条件控制下, 通过载流子传输体现出来的。 ◆发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基 区：传送和控制载流子
2.三极管的组态 *共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE表示。 *共基极接法：基极作为公共电极，用CB表示。 *共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示。 E b CE CB
2. 三极管的组态 共集电极接法: 集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法: 基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法: 发射极作为公共电极，用CE表示
3.外部条件说明：若BJT工作在放大工作状态 ◆发射结正偏 NPN管：VB>VE,硅管VBE≈0.6~0.8V PNP管：Vg<VE,锗管VBE≈-0.2~-0.3V ◆集电结反偏 NPN管：Vc>VB PNP管：Vc<VB ◆三个电极的电位关系 NPN管：Vc>VB>VE,硅管VBE≈0.60.8V PNP管：Vc<VB<VE,锗管VBE≈-0.2~-0.3V
3. 外部条件说明: 若BJT工作在放大工作状态 ◆发射结正偏 NPN管: VB ＞ VE ，硅管 VBE≈0. 6～0. 8V PNP管: VB ＜ VE ，锗管 VBE≈－0. 2～－0. 3V ◆集电结反偏 NPN管: VC ＞ VB PNP管: VC ＜ VB ◆三个电极的电位关系 NPN管: VC＞VB＞VE ，硅管VBE≈0.6～0. 8V PNP管: VC＜VB＜VE ，锗管VBE≈－0. 2～－0. 3V
例1某放大其中三极管3个电极的电位分别为V,=-6V, V2=-11.3V和V3=-12V。则该三极管为硅管还是锗管？ 是NPN还是PNP管？b、c、e三个电极？ ◆V2一V3=0.7V→硅管，而且2、3脚中一脚为b极， 另一脚为e极，1脚为c极。 ◆1脚为c极，且电位最高 ◆NPN管c极电位最高 该管为NPN管 ◆NPN管Vc>VB>VE→1/2/3脚分别为c/b/e极
例1 某放大其中三极管3个电极的电位分别为V1 =-6V, V2 =-11.3V 和 V3 =-12V。则该三极管为硅管还是锗管？ 是NPN还是PNP管？b、c、e三个电极？ ◆V2－V3＝0.7V 硅管, 而且2、3脚中一脚为b极， 另一脚为e极，1脚为c极。 ◆1脚为c极，且电位最高 NPN管c极电位最高 该管为NPN管 ◆ NPN管VC＞VB＞VE 1/2/3脚分别为c/b/e极