PECVD过程中的微观过程 气体输入 CY过程 气体持出 Re/esin 宙分子 lel 甲副物 (b) PECVD过程 材底T 在气相中, PECVD发生的是PVD和CVD结合的过程 在衬底表面,发生的是与热CVD相似的吸附、扩散、反应以 及脱附等一系列的微观过程
PECVD过程中的微观过程 ◆ 在气相中,PECVD发生的是PVD和CVD结合的过程 ◆ 在衬底表面,发生的是与热CVD相似的吸附、扩散、反应以 及脱附等一系列的微观过程 CVD过程 PECVD过程
PECVD过程中重要的物理一化学过程 ■气体分子与电子碰撞,产生出活性基团和离子 ;活性基团扩散到衬底表面 活性基团也可与其他气体分子或活性基团发生 相互作用,进而形成沉积所需的新的化学基团 ;化学基团扩散到衬底表面 ■到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反 应并释放出反应产物 离子、电子轰击衬底造成的表面活化、衬底 度升高引起的热激活效应等
◼ 气体分子与电子碰撞，产生出活性基团和离子 ；活性基团扩散到衬底表面 ◼ 活性基团也可与其他气体分子或活性基团发生 相互作用，进而形成沉积所需的新的化学基团 ；化学基团扩散到衬底表面 ◼ 到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反 应并释放出反应产物 ◼ 离子、电子轰击衬底造成的表面活化、衬底温 度升高引起的热激活效应等 PECVD过程中重要的物理-化学过程
PECVD方法制备非晶S薄膜的过程 ■S薄膜可由热解反应制备 SiH4(g)→S(s)+2H2(g) (650°C) 或由还原反应制备 SCl4(g)+2H2(g)→Si(s)+4HCl(g)(1200°C) 在低温时S溥膜的沉积速率却由于表面反应速率 降低而急剧下降 但太阳能电池、集成电路等领域需要在低温下制 备S薄膜 利用 PECVD技术,则可以将S溥膜的沉积温度降 低至300°C以下
◼ 但太阳能电池、集成电路等领域需要在低温下制 备Si薄膜 ◼ 利用PECVD技术，则可以将Si薄膜的沉积温度降 低至300C以下 PECVD方法制备非晶Si薄膜的过程 ◼ Si薄膜可由热解反应制备： SiH4 (g)Si(s)+2H2 (g) (650C) 或由还原反应制备： SiCl4 (g)+2H2 (g)Si(s)+4HCl(g) (1200C) ◼ 在低温时Si薄膜的沉积速率却由于表面反应速率 降低而急剧下降