2.只读存储器ROM (1)特点 ●编入程序或写入数据后只能读出不能写入(指单片机在 正常工作状态下); 掉电以后所存内容不会丢失,通电后照常能够使用。因 此常用作程序存储器。 (2)分类 根据结构和工艺不同,ROM可分为以下几种: 十一五国家级规为教材(高职高专) 高等教育出版社 HIGHER EDUCATION PRESS
⑴特点 ⚫ 编入程序或写入数据后只能读出不能写入（指单片机在 正常工作状态下）； ⚫ 掉电以后所存内容不会丢失，通电后照常能够使用。因 此常用作程序存储器。 ⑵分类 根据结构和工艺不同，ROM可分为以下几种： 2.只读存储器ROM
●掩模ROM ●可编程的PROM( Programmab|eRoM) ●紫外线可擦除可编程的 EPROM( Erasable Programmable ROM) ●电可擦除可编程的 EEPROM( Electrically Erasable Programmable ROM) ●闪速存储器Fash 十一五国家级规为教材(高职高专) 高等教育出版社 HIGHER EDUCATION PRESS
⚫掩模ROM ⚫可编程的PROM（Programmable ROM） ⚫紫外线可擦除可编程的EPROM（Erasable Programmable ROM） ⚫ 电可擦除可编程的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM） ⚫闪速存储器Flash
表6-1是半导体存储器的分类和性能对照表。 名称 易失性擦除方法读写速度存储器类型 双极型 自动 数据存储器 RAM MOS SRAM 是是是 自动 快快快 数据存储器 MOS DRAM 自动 数据存储器 ROM 非易失 较快 程序存储器 OTP ROM 非易失 较快 程序存储器 ROM EPROM 非易失紫外线 较快 程序存储器 EEPROM 非易失 较慢程序据存储器 Flash 非易失 电电 快 程序/据存储器 注:“自动”指断电或写入数据时,原有数据自动擦 除 十一五国家级规为教材(高职高专) 高等教育出版社 HIGHER EDUCATION PRESS
注：“自动”指断电或写入数据时，原有数据自动擦 除 表6-1是半导体存储器的分类和性能对照表
622常用存储器扩展芯片 扩展程序存储器一般采用掉电信息xc1 28HVcc 不丢失的ROM类芯片,如 EPROM和 A122 27日wE A?3 26日计.C EEPROM;扩展数据存储器一般采用 Ad L4 25日Ag RAM类芯片,如静态RAM6116、6264 As凵5 A4日6 23A 62256等。 A日72864A20E 目前扩展存储器以 EEPROM的使用 A28 21日A A19 20HCE 最为普遍,它既能用作程序存储器,又A10 19日o 能用作数据存储器。常用的 EPROM oa囗 18o Io1日12 17日 芯片主要有nte2817A、2864A等。 02口13 16日od GD口14 图6-2 Intel2864A的引脚 十一五国家级规为教材(高职高专) 高等教育出版社 HIGHER EDUCATION PRESS
扩展程序存储器一般采用掉电信息 不丢失的ROM类芯片，如EPROM和 EEPROM；扩展数据存储器一般采用 RAM类芯片，如静态RAM 6116、6264、 62256等。 目前扩展存储器以EEPROM的使用 最为普遍，它既能用作程序存储器，又 能用作数据存储器。常用的EEPROM 芯片主要有Intel 2817A、2864A等。 6.2.2 常用存储器扩展芯片 图6-2 Intel 2864A的引脚
以2864A为例说明,其结构如图6-2所示。其中A0~ A12为地址线;/00~T/07为双向数据线CE为片选信 号线;OE为输出允许信号线;wE为写信号线。 表622864A的作让辑 E OE WE 工作方式 1Oo lO7 xH 待机 高阻 HLL xLH 读数据 数据输出 负脉冲 写数据 数据输入 十一五国家级规为教材(高职高专) 高等教育出版社 HIGHER EDUCATION PRESS
以2864A为例说明，其结构如图6-2所示。其中A0～ A12为地址线；I/O0～I/O7为双向数据线； 为片选信 号线； 为输出允许信号线； 为写信号线。 CE OE WE