中国科学技术大学物理系微电子专业 3、晶体管端电流的组成 Forward bias Reverse bias p BE CB Emitter Base Collector IE= emitter current in jected into the base i -base current in jected into the emitter jBE- recombination in the base current region CB-reverse biased current across the bcj ICB=reverse biased current across the bct electron current from the emitter Semiconductor Devices 2021/1/26
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/1/26 16 Semiconductor Devices emitter current injected into the base base current injected into the emitter recombination in the base current region reverse biased current across the BCJ reverse biased current across the BCJ electron current from the emitter = EB n I = BE p I = BE R I = CB p I = CB n I = C n I 3、晶体管端电流的组成
中国科学技术大学物理系微电子专业 4、晶体管的电流增益 直流共基极电流放大系数(或电流增益)的定义 为 E 0 I +l E + E 其中,发射效率: y 基区传输因子 0=10r Semiconductor Devices 2021/1/26 17
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/1/26 17 Semiconductor Devices 4、 晶体管的电流增益 • 直流共基极电流放大系数（或电流增益）的定义 为 其中， 发射效率： 基区传输因子 + = + = = E p Cp E p E n E p E p E n Cp E Cp I I I I I I I I I I 0 0 Ep En Ep E Ep I I I I I + = = Ep Cp T I I = T 0 =
中国科学技术大学物理系微电子专业 集电极电流表达式: IC=aolE+IcBo 下标CB:表示C和B结的端电流,O:表示 对应的第三端与第二端之间为开态。 共发射极晶体管的电流放大系数(电流增 益)为 ECp +Ⅰ Semiconductor Devices 2021/1/26
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/1/26 18 Semiconductor Devices 集电极电流表达式： 下标CB: 表示C和B结的端电流，O: 表示 对应的第三端与第二端之间为开态。 C E CBO I = I + I 0 • 共发射极晶体管的电流放大系数（电流增 益）为 ： Cn B Cp E Cp Cp I I I I I I + = − = − = 0 0 0 1
中国科学技术大学物理系微电子专业 共发射级晶体管放大 B CB BE Semiconductor Devices 2021/1/26
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/1/26 19 Semiconductor Devices 共发射级晶体管放大 IB IC IE
中国科学技术大学物理系微电子专业 IC IE 工B 工B VCE VCE yBE YCB YBE VCB IE IC a b 晶体管的三种连接法(a)共基极、(b)共发 射极和(c)共集电极 电路应用中,晶体管的共发射级接法 最常用,即发射极作为公共端,基极 和集电极为输入和输出端。 Semiconductor Devices 2021/1/26
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/1/26 20 Semiconductor Devices 晶体管的三种连接法 (a)共基极、 （b）共发 射极和（c）共集电极 (a) (b) (c) • 电路应用中，晶体管的共发射级接法 最常用，即发射极作为公共端，基极 和集电极为输入和输出端