2)饱和区(放大区) 条件:Vs>Vosr Vos> Vcc-v DS GS GST (Vn< V GST *1忽略沟道长度调制效应,令VD=VsVs代 入 u, Cow Ql GS GST庐DS DS 得1n=∠CmW GS GST
2）饱和区（放大区） 条件：VGS> VGST VDS ＞ VGS- VGST（ VGD＜ VGST） *1 忽略沟道长度调制效应，令VDS = VGS- VGST代 入 ( ) ( ) 2 2 2 2 2 G S GST n o x D G S GST D S D S n o x D V V l C W I V V V V l C W I = − = − − 得
*2计及沟道长度调制效应 c w 10x DS D Ql GS GST u, Cow (Gs-VGST (1+hvps Ql 其中x=-1=00
*2 计及沟道长度调制效应 ( ) ( ) ( ) (0.005 0.03) 1 1 2 1 2 2 2 其中 = − = — = − + = − − A G S GST D S n o x A D S G S GST n o x D V V V V l C W V V V V l C W I
3)截止区 条件:Vs<Ⅴsr沟道未形成 I=0 4)击穿区 VDs↑→D-U间的PN结击穿→b↑ GS 过大→SO2绝缘层击穿→管子永久损 坏 保护电路 U
3）截止区 条件：VGS＜ VGST 沟道未形成 ID=0 4）击穿区 VDS ↑→D-U间的PN结击穿→ID↑↑ * VGS 过大→SiO2绝缘层击穿→管子永久损 坏。 保护电路 D G S U
*衬底效应:N(P)沟道MOS管衬底必须接在 电路的最低(高)电位上。 保证U-S,U-D间PN结反偏. D 4P沟道EMOS场效应管 P GST ST GS G →U
* 衬底效应：N（P）沟道MOS管衬底必须接在 电路的最低（高）电位上。 保证U-S，U-D间PN结反偏. 4 P沟道EMOS场效应管 D G S U U S G D N+ P + P + N ID VDS ID VGS= VGST - - - VGS ID VGST
5耗尽型MOS(DMOS) )N沟道 D d(mA) 1.5 0.5 1.5 GS -0.5 VDS (V) P GST I(mA) G GST
5 耗尽型MOS（DMOS） 1) N沟道 D G S U U S G D P + N+ N+ P ID N VDS (V) ID (mA) VGS=0 -0.5 -1.5 0.5 1.5 1.5 VGS (V) ID (mA) 1.5 VGST VGST