7.1.1FET电流源电路 1.MOSFET镜像电流源 十VDD 用T3代替R,T1~T3特性相同 IREF T 由于Io1=ID3=IREF=Kn(Wcs-VN)2 Ip2=I0 VGS3 所以kes=s=n+人) T2 只要满足Vn+Vss>2V VGS T1~T便可工作在饱和区 输出电流为 Vss ID2 =K (VGS -VIN)?
7.1.1 FET电流源电路 2 D2 n GS TN I K (V V ) 用T3代替R，T1~T3特性相同 1. MOSFET镜像电流源 T1~T3便可工作在饱和区 2 D1 D3 REF n GS TN 由于 I I I K (V V ) ( ) 2 1 所以 VGS3 VGS VDD VSS 只要满足 DD SS TN V V 2V 输出电流为
7.1.1FET电流源电路 2.串级镜像电流源 动态电阻更大，恒流特性更好 IREF d4 1。=ras4+ras2(1+gm'as4)≈mdsa4'as2 (W3T3→ 84 T4(W)4 需要注意，T4漏极接负载构 VGS3++VGS4 成回路后，需要满足 Ip2 VDSA VGS4-VTN4 (W/L)1 T T2 (W/L)2 -Vss
7.1.1 FET电流源电路 动态电阻更大，恒流特性更好 2. 串级镜像电流源 o ds4 ds2 m ds4 m ds4 ds2 r r r (1 g r ) g r r 需要注意，T4漏极接负载构 成回路后，需要满足 VDS4 VGS4 VTN4
7.1.1FET电流源电路 3.组合电流源 除宽长比外， +VDD To~T3特性相同， IDO=IREF VGS4 VGs5 T4、T特性相同 00 S4 S5 g4gs十 T go NMOS I2= (WIL)zIwer d4 PMOS ds (W/L)1 d3 1() (W1L)1 T;NMOS +NMOS I5= 11,= WIDsI3 VGS2 VGS3 (W1L)4 4(W1L)4 (WIL)s(WIL)2Igwr -Vss (W1L)4(W1L)1 需保证所有管子工作在饱和区
7.1.1 FET电流源电路 3. 组合电流源 除宽长比外， T0~T3特性相同， T4、T5特性相同 REF 1 2 2 ( / ) ( / ) I W L W L I REF 1 3 3 ( / ) ( / ) I W L W L I REF 1 3 4 5 3 4 5 4 4 5 5 ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) ( / ) I W L W L W L W L I W L W L I W L W L I 需保证所有管子工作在饱和区
7.1.1FET电流源电路 4.JFET电流源 JFET是耗尽型 -lo ip 1 管，所以Vcs=0 斜率 时工作在饱和 UDS 区 可用范围 ip Io UD =Ipss(1+Aps) -Vss VTPl VBR 1 (a) (b) 耗尽型MOS管也可采用类似的方式构成电流源
7.1.1 FET电流源电路 4. JFET电流源 JFET是耗尽型 管，所以VGS=0 时工作在饱和 区 耗尽型MOS管也可采用类似的方式构成电流源 (1 ) DSS DS D O v I i I DSS o 1 I r
7.1.2BJT电流源电路 1.镜像电流源 +Vcc T1、T2的参数全同 IREF VBE2 =VBEI IE2 IEI icz=Ic2=Io=IRER C2 Ic2=Ic1≈IREF ='cc-'腿≈' R R 一VEE R的值在一定范围内变化时，Ic2的电流值将保持不变，反 映出Ic2的恒流特性
7.1.2 BJT电流源电路 VBE2 =VBE1 REF I E2 = E1 I I C2 = C1 I I R VCC VBE = R VCC Rc的值在一定范围内变化时，IC2的电流值将保持不变，反 映出IC2的恒流特性。 T1、T2的参数全同 1. 镜像电流源