6.4沉淀的形成过程 晶型沉淀的沉淀条件 陈化：将沉淀与母 ■沉淀应在适当稀的热溶液中进行 液一起放置一段时 间，晶体中不完整 ·在不断搅拌下，缓慢地加入沉淀剂 部分的杂质离子容 易重新进入溶液， ·沉淀完成后应陈化： 而在溶液中的离子 陈化过程的作用 又不断回到晶体表 面，使结晶趋于完 (1)小变大 整，沉淀更为纯净， (2)除杂 加快陈化的措施：加热、搅拌一加快溶解速度 “稀、热、搅、慢、陈
晶型沉淀的沉淀条件 沉淀应在适当稀的热溶液中进行 在不断搅拌下，缓慢地加入沉淀剂 沉淀完成后应陈化 ： 陈化过程的作用 （1）小变大 （2）除杂 加快陈化的措施：加热、搅拌——加快溶解速度 “稀、热、搅、慢、陈” 6.4 沉淀的形成过程 陈化: 将沉淀与母 液一起放置一段时 间，晶体中不完整 部分的杂质离子容 易重新进入溶液， 而在溶液中的离子 又不断回到晶体表 面，使结晶趋于完 整，沉淀更为纯净
6.5影响沉淀纯度的因素及纯化方法 共沉淀现象 产生共沉淀的原因有三个方面 1.表面吸附引起的共沉淀 吸附层（或称第一吸附层） 扩散层（或称第二吸附层） 双电层 Na' Ag -C --Ag'-ci-ag" Ac NO, 沉淀表面的双电层 -d-Ag-一Ag AR-EANNO NO 表面吸附规律 Na ()当某一构晶离子过量时，沉淀首先吸附构晶离子 -C--Ag-Cl--Ag Na+ (②)对于抗衡离子，离子的价数越高，浓度越大，越容 -Ag -CI Ag*-CI-Ag*1 NO Ac 易被吸附 Na+ -CI -Ag*-C]--Ag (③)如果各抗衡离子的浓度、电荷相同，则首先吸附那 吸， 扩 些能与构晶离子形成溶解度最小或离解度最小的化 固体 层 合物离子 (④)在电场作用下容易变形的大阴离子，也易被吸附 AgCI沉淀的表面吸附示意图
6.5 影响沉淀纯度的因素及纯化方法 共沉淀现象 产生共沉淀的原因有三个方面 1. 表面吸附引起的共沉淀 吸附层(或称第一吸附层) 扩散层(或称第二吸附层) 沉淀表面的双电层 表面吸附规律 (1) 当某一构晶离子过量时,沉淀首先吸附构晶离子 (2) 对于抗衡离子，离子的价 数越高，浓度越大，越容 易被吸附 (3) 如果各抗衡离子的浓度、电荷相同，则首先吸附那 些能与构晶离子形成溶解度最小或离解度最小的化 合物离子 (4) 在电场作用下容易变形的大阴离子 , 也易被吸附
6.5影响沉淀纯度的因素及纯化方法 沉淀表面吸附杂质的量还与下列因素有关 (1)与沉淀的总表面积有关。当沉淀量一定时，沉淀的颗粒越小则其比表面积越大，吸 附杂质的量就越多。晶型沉淀表面吸附现象不严重，而无定形沉淀表面吸附较严重， 表面吸附共沉淀是无定形沉淀被沾污的主要原因 (2)与溶液中杂质的浓度有关。一般情况下，杂质的浓度越大，被沉淀吸附的量越多 (3)与溶液的温度有关。因为吸附是放热过程，因此溶液温度升高可减少杂质的吸附量。 洗涤是除去表面吸附杂质的有效方法： 用NaCl沉淀剂沉淀Ag,AgCI沉淀表面吸附NaCl共沉淀。用稀HNO3溶液作洗涤液，H 将沉淀表面吸附的Na+置换下来，转化为HCl,HCl在烘干时挥发除去，便得到较纯净 的AgCI沉淀 园此：藏痛流的搭舞根量昊
沉淀表面吸附杂质的量还与下列因素有关 （1）与沉淀的总表面积有关。当沉淀量一定时，沉淀的颗粒越小则其比表面积越大，吸 附杂质的量就越多。晶型沉淀表面吸附现象不严重，而无定形沉淀表面吸附较严重， 表面吸附共沉淀是无定形沉淀被沾污的主要原因 （2）与溶液中杂质的浓度有关。一般情况下，杂质的浓度越大，被沉淀吸附的量越多 （3）与溶液的温度有关。因为吸附是放热过程，因此溶液温度升高可减少杂质的吸附量。 洗涤是除去表面吸附杂质的有效方法: 用NaCl沉淀剂沉淀Ag+ ，AgCl沉淀表面吸附NaCl共沉淀。用稀HNO3溶液作洗涤液，H+ 将沉淀表面吸附的Na+置换下来，转化为HCl，HCl在烘干时挥发除去，便得到较纯净 的AgCl沉淀 因此：洗涤液的选择很重要 6.5 影响沉淀纯度的因素及纯化方法