5.3直接调频电路 5.3.1变容二极管直接调频电路 变容二极管的特性(动画) 变容二极管的符号和结电容C随外加偏压U 变化的关系如图531所示,其表达式为 犬式中:为加到变容管两端的电压; VB变容管的势垒电位差(锗管为0.2V,硅管 为0.6V)
5.3 直接调频电路 5.3.1 变容二极管直接调频电路 一、变容二极管的特性(动画) 变容二极管的符号和结电容 Cj 随外加偏压 变化的关系如图5.3.1所示，其表达式为 (0) (1 ) j j n B C C V = − 式中： 为加到变容管两端的电压； VB 变容管的势垒电位差（锗管为0.2V，硅管 为0.6V）；
n:变容管的变容指数,与PN结的结构有关 其值为。6 (0)当加到变容管两端的电压U=0时的结电容 为了保证变容管在调制信号电压变化范围内保持反 偏,必须外加反偏工作点电压V所以加在变容管 学习工学 上的总电压为 U=-(Vo+U2)且pal<
(0) Cj 当加到变容管两端的电压 = 0 时的结电容； n：变容管的变容指数，与PN结的结构有关， 其值为 1 。 ~ 6 3 为了保证变容管在调制信号电压变化范围内保持反 偏，必须外加反偏工作点电压 −VQ 所以加在变容管 上的总电压为 ( ) = − + VQ 且 VQ
当D=+U1O)=v+ coS!9时 C,(0) (1+(a+U2) (1+mcos Q2t) 式中C C,(0) + 男 B B 学习工学 其中C为加在变容管两端的电压U=-(即2=0) 时变容管的结电容,即静态工作点处的结电容, m表示结电容调制深度的调制指数
当 [ ( )] [ cos ] = − + = − + V t V V t Q Q m 时， (0) ( ) (1 cos ) (1 ) j jQ j n Q n B C C C V m t V = = + + + 式中 (0) (1 ) j jQ Q n B C C V V = + m Q B V m V V = + 时变容管的结电容，即静态工作点处的结电容， 其中 CjQ 为加在变容管两端的电压 = −VQ （即 0 = ） m 表示结电容调制深度的调制指数
二、变容二极管作为振荡回路总F11 路 LI 图532(a)所示电路为LC正4本中 振回路。 1、各元件的作用: L为高频扼流圈,对高频感抗很大,接近开路, 男 而对直流和调制频率则接近短路; 学习工学 C2是高频滤波电容,对高频容抗很小接近短路,而 对调制频率的容抗很大,接近开路。 C为隔直流电容,作用是保证v和u2()能有效地加 到变容管上,而不被L短路,因此要求C对高频 接近短路,而对调制频率接近开路
图5.3.2（a）所示电路为LC正弦波振荡器中的谐 振回路。 二、变容二极管作为振荡回路总电容的直接调频电 路 L1 为高频扼流圈，对高频感抗很大，接近开路， 而对直流和调制频率则接近短路； C2 是高频滤波电容，对高频容抗很小接近短路，而 对调制频率的容抗很大，接近开路。 和 C1 为隔直流电容，作用是保证 VQ ( )t 能有效地加 接近短路，而对调制频率接近开路。 到变容管上，而不被L短路，因此要求 C1 对高频 1、各元件的作用：
2、高频等效电路 (b)图所示为等效电路。C为变容二极管的结电容。 3、变容二极管的控制电路 图〔c)为变容二极管的控制电路。C的作用使 结电容不受振荡回路的影响 男 学习工学 本 b) 图532变容二极管作为回路总电容的直接调频原理电路
2、高频等效电路 （b）图所示为等效电路。 Cj 为变容二极管的结电容。 3、变容二极管的控制电路 结电容不受振荡回路的影响。 图（c）为变容二极管的控制电路。 C1 的作用使 图5.3.2 变容二极管作为回路总电容的直接调频原理电路