第5章放大电路的频响分析与稳定性分析 前面假定信号频率不高也不低,耦合电容 结电容 >r 2m℃ 如f=1khC1、C25023交流短路 C: 1OpF ≈159Mg交流开路 2x℃ 如果信号频率很高或很低,就应考虑电容的影响
第5章 放大电路的频响分析与稳定性分析 前面假定信号频率不高也不低，耦合电容 Req fC 1 2 1 如 f =1kHz C1、C2 50uF 3 2 1 1 fC 交流短路 Cj 10pF M fCj 15.9 2 1 交流开路 结电容 eq j R fC 2 1 如果信号频率很高或很低，就应考虑电容的影响
极管的高频小信号模型 C 物理模型 发射结正偏,结电容 由扩散电容决定(Cb 达一百皮法左右);集 b'c b'c 电结反偏,结电容由 b 势垒电容决定 (C几 b'c 个皮法)。 gm b b'e 忽略r、re (为集电区和发射区 的体电阻,很小) e
一、三极管的高频小信号模型 发射结正偏，结电容 由扩散电容决定( 达一百皮法左右)；集 电结反偏，结电容由 势垒电容决定( 几 个皮法)。 物理模型 忽略rc、re （为集电区和发射区 的体电阻，很小） Cb'e Cb'c
混合π模型 b'c b'c e b'e m b'e 代表基区体电阻e为发射极动态电阻在基极回路中的 折合值n=(1+)26m/lao gmvb'e为受控电流源,与低频模型中的βb相对应。 对集电极电流没有贡献; b才能影响集电极电流的大小。 e=阝0b=Bo m b e
混合π模型 对集电极电流没有贡献； 才能影响集电极电流的大小。 ' b I " b I b e b e m b e b r V g V I ' ' ' 0 '' 0 = = b e m r g ' 0 = rbb’代表基区体电阻， 为发射极动态电阻在基极回路中的 折合值 b e r ' b e EQ r (1 )26mV / I ' = + gm Vb'e 为受控电流源，与低频模型中的 相对应。 . I b . 0
简化的混合模型 b一 b'c bb′ b'e b'e 单向化处理: 忽略rbe m′be e b'e 密勒 定理 jOc b'c O 单向化处理 (1--)Cb2=(1-k)Cb bb b'e K K|>>1 b e 为中频时的电压放 gmlb'e 大倍数,为负值
简化的混合π模型 密勒 定理 单向化处理 忽略rbc、rce h b e b c b e ce j C V j C V V 1 ' . ' . ' . 1 1 = − b c b c b e ce h C K C V V C ' . ' ' . . 1 = (1− ) = (1− ) 单向化处理： 为中频时的电压放 大倍数，为负值 | | 1 . K b e ce V V K ' . . . =
CI=(1-k)Cbc >>cbcb-t K-1 同理C2h=K b'c ≈Cbc C=Cbet(1-K)Cb C>C2r=RC输出回路时间常数2<<z输入回路时间常数 f1<<f2高频特性主要决定于小的这个截止频率 2丌T 20gA4 高频小信号模型 C ff b'e βo b'e be Ci-Cbe+(l-k)o b'c
高频小信号模型 C1h K Cb'c Cb'c = (1− ) h Cb c Cb c K K C2 ' ' 1 − = 同理 b e m r g ' 0 = Ci Cb e K Cb'c . ' = + (1− ) Ci C2h 输出回路时间常数 输入回路时间常数 1 2 f f 2 1 f = 2 1 = RC 高频特性主要决定于小的这个截止频率 f1 f2 Av 20lg f