由图6-1-6可知，光敏电阻伏安特性近似直线，而且没有饱和现象。受耗散功率的限制，在使用时，光敏电阻两端的电压不能超过最高工作电压，图中虚线为允许功耗曲线，由此可确定光敏电阻正常工作电压。1004050mW8036(vu)0160(%)yPT10001x204401021001x20101x20406080100608020401002000250050010001500U(V)E(1x)入(nm)图6-1-8光敏电阻的光谱特性图6-1-6光敏电阻的伏安特性图6-1-7光敏电阻的光电特性1-硫化镉 2-硫化3-硫化销
由图6-1-6可知，光敏电阻伏安特性近似直线，而且没 有饱和现象。受耗散功率的限制，在使用时，光敏电阻两 端的电压不能超过最高工作电压，图中虚线为允许功耗曲 线，由此可确定光敏电阻正常工作电压。 20 40 60 80 100 Kr(%) 500 1000 1500 2000 2500 1 2 3 图6-1-8 光敏电阻的光谱特性 1-硫化镉 2-硫化铊 3-硫化钼 λ(nm) 图6-1-6 光敏电阻的伏安特性 图6-1-7 光敏电阻的光电特性 2 4 6 8 20 40 60 80 100 E(lx) IΦ(mA) IΦ(mA) 20 40 30 10 50mW 1000lx 100lx 10lx 20 40 60 80 100 U(V)
3）光电特性光敏电阳的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。如图6-1-7所示，光敏电阻的光电特性呈线性。因此不适宜做检测元件，这是光敏电阻的缺点之一，在自动控制中它常用做开关式光电传感器4）光谱特性对于不同波长的入射光，光敏电阻的相对灵敏度是不相同的。各种材料的光谱特性如图6-1-8所示。从图中看出，硫化镉的峰值在可见光区域，而硫化铅的峰值在红外区域，因此在选用光敏电阻时应当把元件和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的结果。5频率特性当光敏电阳阻受到脉冲光照时，光电流要经过一一段时间才能达到稳态值，光照突然消失时，光申流也不立刻为零。这说明光敏电阻有时延特性。由于不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频率特性也不相同。图6-1-9给出相对灵敏度K，与光强变化频率f之间的关系曲线，可以看出硫化铅的使用频率比硫化铠高的多。但多数光敏电阻的时延都较大，因此不能用在要求快速响应的场合，这是光敏电阻的一个缺陷
3)光电特性 光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。如图6-1-7所 示，光敏电阻的光电特性呈非线性。因此不适宜做检测元件，这是光敏 电阻的缺点之一，在自动控制中它常用做开关式光电传感器。 4)光谱特性 对于不同波长的入射光，光敏电阻的相对灵敏度是不相同的。各种 材料的光谱特性如图6-1-8所示。从图中看出，硫化镉的峰值在可见光区 域，而硫化铅的峰值在红外区域，因此在选用光敏电阻时应当把元件和 光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的结果。 5)频率特性 当光敏电阻受到脉冲光照时，光电流要经过一段时间才能达到稳态 值，光照突然消失时，光电流也不立刻为零。这说明光敏电阻有时延特 性。由于不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频率特性也不 相同。图6-1-9给出相对灵敏度Kr，与光强变化频率f之间的关系曲线，可 以看出硫化铅的使用频率比硫化铊高的多。但多数光敏电阻的时延都较 大，因此不能用在要求快速响应的场合，这是光敏电阻的一个缺陷
100f1008080+20℃?6060k2-20℃40402020101001000100001.02.03.0图6-1-9光敏电阻的频率特性6-1-10硫化铅的光谱温度特性1一硫化铅光敏电阻2-硫化铠光敏电阻6）温度特性光敏电阻和其他半导体器件一样，受温度影响较大，当温度升高时，它的暗电阻会下降。温度的变化对光谱特性也有很大影响。图6-110是硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线。从图中可以看出，它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。因此，有时为了提高灵敏度，或为了能接受远红外光而采取降温措施
1.0 2.0 3.0 20 40 60 80 100 Kr(%) +20 -20 20 40 60 80 100 Kr(%) 1 2 10 100 1000 10000 图6-1-9 光敏电阻的频率特性 1-硫化铅光敏电阻 2-硫化铊光敏电阻 6-1-10 硫化铅的光谱温度特性 6)温度特性 光敏电阻和其他半导体器件一样，受温度影响较大，当温度升高 时，它的暗电阻会下降。温度的变化对光谱特性也有很大影响。图6-1- 10是硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线。从图中可以看出，它的峰 值随着温度上升向波长短的方向移动。因此，有时为了提高灵敏度， 或为了能接受远红外光而采取降温措施