6.无机材料的电导 知识回顾： 1.电导率和迁移率的一般表达式 2.无机材料电导的分类及其特征 3.离子电导的两种类型，哪种占主导？ 4.影响离子电导率的因素
6. 无机材料的电导 知识回顾： 1.电导率和迁移率的一般表达式 2.无机材料电导的分类及其特征 3.离子电导的两种类型，哪种占主导？ 4.影响离子电导率的因素
6.无机材料的电导 6.3电子电导
6. 无机材料的电导 6.3 电子电导
6.无机材料的电导 ，电子电导的载流子是电子或空穴（即电子空穴）。 ，电子电导主要发生在导体和半导体中。 ， 能带理论指出：在具有严格周期性电场的理想晶体中的电子和空穴 在绝对零度下的电子运动时不受阻力，迁移率为无限大。当周期性受到 破坏时，才产生阻碍电子的运动的条件。 ,电场周期破坏的来源是：晶格热振动，杂质的引入、位错和裂纹等。 ，在电子电导材料中，电子与点阵的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子 运动受阻的原因之一
6. 无机材料的电导 电子电导的载流子是电子或空穴（即电子空穴）。 电子电导主要发生在导体和半导体中。 能带理论指出：在具有严格周期性电场的理想晶体中的电子和空穴 ， 在绝对零度下的电子运动时不受阻力，迁移率为无限大。当周期性受到 破坏时，才产生阻碍电子的运动的条件。 电场周期破坏的来源是：晶格热振动，杂质的引入、位错和裂纹等。 在电子电导材料中，电子与点阵的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子 运动受阻的原因之一
6.3电子电导 6.3.1电子迁移率 经典电子理论 质量m的电子，在外电场E的作用下自由电子的加速度： eE a= me 电子每两次碰撞之间的平均时间2τ； 单位时间平均散射次数1/2t; 自由电子的平均速度：V= teE me 自由电子的迁移率： 仅适用于讨论自 Me= E me 由电子的运动
6.3 电子电导 6.3.1 电子迁移率 经典电子理论 仅适用于讨论自 由电子的运动
6.3电子电导 τ与晶格缺陷及温度有关，温度越高，晶体缺陷越多，电子散射几率越大， x越小。 经典模型中，电子视为是自由的，实际晶体中电子不是自由的。对于半导 体和绝缘体中的电子能态，必须用量子力学来描述
6.3 电子电导 与晶格缺陷及温度有关，温度越高，晶体缺陷越多，电子散射几率越大， 越小。 经典模型中，电子视为是自由的，实际晶体中电子不是自由的。对于半导 体和绝缘体中的电子能态，必须用量子力学来描述