三光电效应( Photoelectric process) ●发射出的光电子 Ejected Photoelectron 光: Incident X-ray Free Electron Conduction Band Level Fermi Level Valence band 2●●●● 2s ●○ LI K
Conduction Band Valence Band L2,L3 L1 K Fermi Level Free Electron Level 光：Incident X-ray 发射出的光电子Ejected Photoelectron 1s 2s 2p 三 光电效应 （Photoelectric Process）
1电磁波使内层电子激发,并逸出表面成为光电子,测量被 激发的电子能量就得到XPS,不同元素种类、不同元素 价态、不同电子层(s,2s2p等所产生的XPS不同 被激发的电了能量可用下式表示: KE=hv-BE - spec 式中 hv=入射光子(X射线或UV)能量 h=Planck constant( 6.62 X 10-34Js) v- frequency(Hz) BE=电子键能或结合能、电离能( Electron Binding Energy KE=电子动能( Electron Kinetic Energy) Dpe=谱学功函数或电子反冲能( Spectrometer Work Function
1电磁波使内层电子激发，并逸出表面成为光电子，测量被 激发的电子能量就得到XPS， 不同元素种类、不同元素 价态、不同电子层(1s, 2s, 2p等)所产生的XPS不同。 2被激发的电子能量可用下式表示： KE = hv - BE - spec 式中 hv=入射光子（X射线或UV）能量 h=Planck constant ( 6.62 x 10-34 J s ), v - frequency (Hz) BE=电子键能或结合能、电离能（Electron Binding Energy） KE=电子动能 （Electron Kinetic Energy） spec= 谱学功函数或电子反冲能 （Spectrometer Work Function）