第5章频率响应 5-2单级共射放大器的高频响应 5-2-1晶体管的频率参数和高频等效电路 晶体管的高频等效电路 在第二章中,我们曾经提到过晶体管的势垒电容 和扩散电容。因为发射结正向偏置,基区存贮了许多 非平衡载流子,所以扩散电容成分较大,记为Cbe;而 集电结为反向偏置,势垒电容起主要作用,记为 b'c o 在高频区,这些电容呈现的阻抗减小,其对电流 的分流作用不可忽略。考虑这些极间电容影响的高频 混合π小信号等效电路如图5-4所示
第5章 频率响应 5–2单级共射放大器的高频响应 5–2–1晶体管的频率参数和高频等效电路 一、晶体管的高频等效电路 在第二章中，我们曾经提到过晶体管的势垒电容 和扩散电容。因为发射结正向偏置，基区存贮了许多 非平衡载流子，所以扩散电容成分较大，记为Cb′e；而 集电结为反向偏置，势垒电容起主要作用，记为 Cb′c。在高频区，这些电容呈现的阻抗减小，其对电流 的分流作用不可忽略。考虑这些极间电容影响的高频 混合π小信号等效电路如图5–4所示
第5章频率响应 bc be 图5-4晶体管的高频小信号混合π等效电路
第5章 频率响应 I b . r b b r b e ′ ′ b′ Cb e′ Ub e′ . Cb c′ Ub e′ g m r ce I c . e b c 图5–4 晶体管的高频小信号混合π等效电路
第5章频率响应 二、晶体管的高频参数 1共射短路电流放大系数(jo)及其上限频率 由于电容Cb的影响,β值将是频率的函数。根据β的 定义 b'e B(j0)= c、e短路 (5-8) b B。B 8m (1+B) rbe rb'e Ube=lb(rbe Jace I+jorge cb B(0)= B 1+jorge Cbe 1+j 1+J
第5章 频率响应 二、晶体管的高频参数 1.共射短路电流放大系数β(jω)及其上限频率fβ 由于电容C b′e的影响，β值将是频率的函数。根据β的 定义 f f j r C j j j j r C r I j C U I r r r g I g U I I j o b e b e o b e b e b e b b e b e b b e b e o o e o m b m b e c e b c + = + = + = + = = = + = = = 1 1 1 ( ) 1 ) 1 ( (1 ) ( ) 、 短路 (5–8) (5–9)
第5章频率响应 B(o)/p8(jo) arctan (B(j0)的上限频率) (5-11) 2 be be 阝jo)的频率特性如图5-5所示
第5章 频率响应 ( ( )的上限频率） 2 1 /_ arctan_ _ 1 ( ) ( ) /_ ( ) _ 2 j r C f f f f f j j b e b e o = + = = (5–11) |β(jω)|的频率特性如图5–5所示
第5章频率响应 (j0) 0.707 图5-5阝j0)与频率关系曲线
第5章 频率响应 f β f T 0 f 1 β 0 |β (jω)| 0.707β 0 图5–5 |β(jω)|与频率f的关系曲线