(1）VGs对ip的控制作用图5所示电路说明了vcs对沟道电阻的控制作用。为便于讨论，先假设漏-源极间所加的电压yps=0。(a）当vcs =0时，沟道较宽，其电阻较小，如下图（a)所示<0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用（b)当VGS两个P+N结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P+A一区，因此，随着|VGsI的增加，耗尽层将主要向N沟道中扩展，使沟道变窄，道电阻增大，如下图（b）所示。C耗尽层2-(a)(b)VGs=O的情况Vp<VGs<O的情况
(1) vGS对iD的控制作用 图5所示电路说明了vGS对沟道电阻的控制作用。为便于 讨论，先假设漏-源极间所加的电压vDS =0。 (a) 当vGS =0时，沟道较宽，其电阻较小，如下图 (a)所示 。 (b) 当vGS <0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用 下，两个P +N结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P + 区，因此，随着| vGS | 的增加，耗尽层将主要向N沟道中扩 展，使沟道变窄，沟道电阻增大，如下图 (b)所示
4.1结型场效应管d当|VGs|进一步增大到一定值/Vp|时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全帮部被夹断，如右图（）所示。由于耗尽层中P没有载流子，因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压vps，漏极电流i也将为零。这时的栅-源电压vGs(c)称为夹断电压，用V.表示。VGs≤Vp上述分析表明：(a)改变栅源电压vGs的大小，可以有效地控制沟道电阻的大小。(b)若同时在漏-源极间加上固定的正向电压yps，则漏极电流i将受yGs的控制，|VGs增大时，沟道电阻增大，ip减小。（c）上述效应也可以看作是栅-源极间的偏置电压在沟道两边建立了电场，电场强度的大小控制了沟道的宽度，即控制了沟道电阻的大小，从而控制了漏极电流的大小
当|vGS|进一步增大到一定值|VP| 时， 两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全 部被夹断，如右图(c)所示。由于耗尽层中 没有载流子，因此这时漏-源极间的电阻将 趋于无穷大，即使加上一定的电压vDS ， 漏极电流iD也将为零。这时的栅-源电压vGS 称为夹断电压，用VP表示。 上述分析表明: (a)改变栅源电压vGS的大小，可以有效地控制沟道电阻的大小。 (b)若同时在漏-源极间加上固定的正向电压vDS ，则漏极电流iD 将受vGS的控制，| vGS |增大时，沟道电阻增大， iD减小。 (c)上述效应也可以看作是栅-源极间的偏置电压在沟道两边建立 了电场，电场强度的大小控制了沟道的宽度，即控制了沟道电阻 的大小，从而控制了漏极电流iD的大小。 4.1 结型 场效应管
(2)Vps对i的影响设vGs值固定，且Vp<VGs<0。(a)当漏-源电压Vps从零开始增大时，沟道中有电流i流过。(a)(b)在vps的作用下,导电沟道呈楔形。VDs<GS-Vp的情况由于沟道存在一定的电阻，因此，语沿沟道产生的申压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端电位最低。这就使栅极与沟道内各点间的电位差不再相等，其绝对值沿沟道从漏极到源极逐渐减小，在漏极端最大（为|vGD），即加到该处P+N结上的反偏电压最大，这使得沟道两侧的耗尽层从源极到漏极逐渐加宽，沟道宽度不再均匀，而呈楔形，如上图（a）所示
由于沟道存在一定的电阻，因此，iD沿沟道产生的电 压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高， 源极端电位最低。这就使栅极与沟道内各点间的电位差 不再相等，其绝对值沿沟道从漏极到源极逐渐减小，在 漏极端最大(为|vGD|)，即加到该处P +N结上的反偏电压最 大，这使得沟道两侧的耗尽层从源极到漏极逐渐加宽， 沟道宽度不再均匀，而呈楔形，如上图(a)所示。 (2) vDS对iD的影响 设vGS值固定，且VP< vGS <0。 (a)当漏-源电压vDS从零开始增大时， 沟道中有电流iD流过。 (b)在vDS的作用下,导电沟道呈楔形
4.1结型场效应管(C)在vps较小时，i随vps增加而几乎呈线性地增加，它对i的影响应从两个角度来分析：一方面vps增加时，沟道的电场强度增大，ip随着增加；另一方面，随着vps的增加，沟道的不均匀性增大，即沟道电阻增加，i应该下降，但是在vps较小时，沟道的不均匀性不明显，在漏极附近的区域内沟道仍然较宽，即vps对沟道电阻影响不大，故i随vps增加而几乎呈线性地增加。随着vps的进一步增加，靠近漏极一端的P+N结上承受的反向电压增大，这里的耗尽层相应变宽，沟道电阻相应增加，i随vps上升的速度趋缓
(c)在vDS较小时， iD随vDS增加而几乎呈线性地 增加，它对iD的影响应从两个角度来分析： 一方面vDS增加时，沟道的电场强度增大， iD 随着增加；另一方面，随着vDS的增加，沟道的不 均匀性增大，即沟道电阻增加， iD应该下降，但 是在vDS较小时，沟道的不均匀性不明显，在漏极 附近的区域内沟道仍然较宽，即vDS对沟道电阻影 响不大，故iD随vDS增加而几乎呈线性地增加。 随着vDS的进一步增加，靠近漏极一端的P+N 结上承受的反向电压增大，这里的耗尽层相应变 宽，沟道电阻相应增加，iD随vDS上升的速度趋缓。 4.1 结型 场效应管