4.1结型场效应管4.1.1JFET的结构和工作原理1．结构场效应管与三极管的三N沟道结型场效应管耗尽层个电极的对应关系：代表符号栅极g--基极bptDC源极s--发射极e60漏极d--集电极N沟道夹在两个P+N结中间的区域称为导电沟道（简称沟S禁件提示道）
4.1.1 JFET的结构和工作原理 1．结构 场效应管与三极管的三 个电极的对应关系： 栅极g-基极b 源极s-发射极e 漏极d-集电极c 夹在两个P +N结中间的区 域称为导电沟道（简称沟 道）。 4.1 结型 场效应管
4.1结型场效应管如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道JFET，P沟道JFET的结构示意图和它在电路中的代表符号如下图所示。代表符号耗尽层dNNgg一P沟道S
如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂 质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道JFET，P沟道 JFET的结构示意图和它在电路中的代表符号如下图 所示。 4.1 结型 场效应管
4.1结型场效应管4.1.1JFET的结构和工作原理1.结构漏极，用栅极，用GD或d表示或g表示源极，用S或s表N型导电沟道N符号DNN沟道JFET符号中的箭头方向表示栅结正故从向偏置时，栅极电流的方向是由P指向N，符号上就可识别d、s之间是N沟道
源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用 D或d表示 P型区 栅极，用G 或g表示 栅极，用G 或g表示 符号 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ N沟道JFET符号中的箭头方向表示栅结正 向偏置时，栅极电流的方向是由P指向N，故从 符号上就可识别d、s之间是N沟道。 4.1 结型 场效应管
2.工作原理（以N沟道JFET为例）N沟道JFET工作时，需要外加如下图所示的偏置电压耗尽层NDs沟道
2. 工作原理（以N沟道JFET为例） N沟道JFET工作时，需要外加如下图所示的偏 置电压
4.1结型场效应管偏置电压的要求：1.栅-源极间加一负电压(vGs<0)作用：使栅-源极间的P+N结反偏，栅极电流i~0，场效应管呈现很高的输入电阻（高达108Q左右）。2.漏-源极间加一正电压(vVps>0)作用：使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流在上述两个电源的作用下，的大小主要受栅-源电压VGs控制，同时也受漏-源电压Vps的影响
偏置电压的要求： 1.栅-源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使栅-源极间的P +N结反偏，栅极电流iD ≈0，场 效应管呈现很高的输入电阻(高达108 W左右)。 2.漏-源极间加一正电压(vDS ＞0) 作用：使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由 源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流iD 。 在上述两个电源的作用下, iD的大小主要受栅-源电压 vGS控制，同时也受漏-源电压vDS的影响。 4.1 结型 场效应管