《电工电子技术(2)》 练 习 题 册 电工电子课题组编写 2018.7
1 《电工电子技术（2）》 练 习 题 册 电工电子课题组编写 2018.7
第一章：半导体器件基础 一、单项选择题 1。半导体的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为() A、P型半导体 B、N型半导体 C、本征半导体 D、杂质半导体 2.PN结外加正向电压时会使PN结() A、变厚 B、变薄C、不变D、不能确定 3。若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好环，好的管子 应为() A,正、反向电阻相等 B、正向电阻大，反向电阻小 C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大 4。二极管两端加正向电压时《) A、一定导通 B、超过死区电压才导通 C、超过0.3V导通 D、超过0.7N导通 5。二极管的主要特性是具有() A、单向导电性 B、滤波作用 C、稳压作用 D、电流放大作用 6.稳压二极管的稳压性能是利用二极管的()特性实现。 A、单向导电B、反向击穿C、正向导通D、反向截止 7。电路如题7图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0N,则电路中 电流1的值为()。 A4mA B.0mA C.4A D.3mA 8电路如题8图所示，二极管D1,D2,D均为理想组件，则输出电压〔) A.0V B.-6V C.-18V -1 D.+12V w。 12 题8图 愿7图 9。三极管各极对公共端电位如题9图所示，则处于放大状态的硅三极管是() 01 03 圈9图
3 第一章：半导体器件基础 一、单项选择题 1．半导体的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（ ） A、P 型半导体 B、N 型半导体 C、本征半导体 D、杂质半导体 2．PN 结外加正向电压时会使 PN 结（ ） A、变厚 B、变薄 C、不变 D、不能确定 3．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子 应为（ ） A、正、反向电阻相等 B、正向电阻大，反向电阻小 C、反向电阻比正向电阻大很多倍 D、正、反向电阻都等于无穷大 4．二极管两端加正向电压时（ ） A、一定导通 B、超过死区电压才导通 C、超过 0.3V 导通 D、超过 0.7V 导通 5．二极管的主要特性是具有（ ）。 A、单向导电性 B、滤波作用 C、稳压作用 D、电流放大作用 6．稳压二极管的稳压性能是利用二极管的（ ）特性实现。 A、单向导电 B、反向击穿 C、正向导通 D、反向截止 7．电路如题 7 图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为 0V，则电路中 电流 I 的值为（ ）。 A.4mA B.0mA C.4A D.3mA 8.电路如题 8 图所示，二极管 D1，D2，D3 均为理想组件，则输出电压 uo（ ） A.0V B. － 6V C. － 18V D.+12V 9．三极管各极对公共端电位如题 9 图所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 题 8 图 题 7 图 题 9 图
10,三极管放大的实质是() A、将小能量换成大能量 B、将低电压故大成高电压 C、用较小的电蓬控制较大的电流 D、以上都不是 11.若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三 极管是() A、PNP型硅管B、PNP型钻管 C、NPN型钻管 D、NPN型硅 管 12.三极管工作在放大状态，它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏 B、发射结和集电结同时反偏 C、发射结反偏集电结正偏 D、发射结正偏集电结反偏 13.已知某NPN型品体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为6V、9W 和63V,则三个电极分别为() A,集电极、发射极和基极 B。基极、发射极和集电极 C.集电极、基极和发射极 D。发射极、集电极和基极 14.工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压UE和集电结电压UC应为 () A.UBE>0,UBC40 B.UBE>0,UBc>0 C.Um:<0,Unc<0 D.UnE0,Unc>0 二、填空题 1。在本征半导体建中携入少量五价的磷元素后称为 2.PW结两端加上反偏电压时，其空何电荷区的宽度 3。本征半导体受热覆发后产生的带电粒子是 4。稳压管的反向击穿电压等于 电压值。 5。完全纯净的、具有品体结构的半导体称为 6,硅材料二极管，当正向偏置电压为0,2W时，二极管的导电电瓷钓为 7。在数字电路中，三极管工作在裁止状态时，相当于开关 :工作 在饱和状态时，相当于开关 8.放大工作状态的NPW和PWP型三极管，它们对W结的偏置要求 9.三极管三个电极的电流存在 关系。 10.某三极管测得U=0.TV,=0.3N时，该三极管的工作状态是 11.三极管的电流放大倍数为40，现测得三极管集电极电流Ic=2A,基极电流 I应为 三、分析计算题：
4 10．三极管放大的实质是（ ） A、将小能量换成大能量 B、将低电压放大成高电压 C、用较小的电流控制较大的电流 D、以上都不是 11．若三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是 6V、12V 和 6.7V，则此三 极管是（ ） A、PNP 型硅管 B、PNP 型锗管 C、NPN 型锗管 D、NPN 型硅 管 12．三极管工作在放大状态，它的两个 PN 结必须是（ ） A、发射结和集电结同时正偏 B、发射结和集电结同时反偏 C、发射结反偏集电结正偏 D、发射结正偏集电结反偏 13．已知某 NPN 型晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为 6V、9V 和 6.3V，则三个电极分别为（ ） A．集电极、发射极和基极 B．基极、发射极和集电极 C．集电极、基极和发射极 D．发射极、集电极和基极 14．工作在放大状态的 NPN 三极管，其发射结电压 UBE 和集电结电压 UBC 应为 ( ) A. UBE>0，UBC<0 B. UBE>0，UBC>0 C. UBE<0，UBC<0 D. UBE<0，UBC>0 二、填空题 1．在本征半导体硅中掺入少量五价的磷元素后称为 。 2．PN 结两端加上反偏电压时，其空间电荷区的宽度 3．本征半导体受热激发后产生的带电粒子是 4．稳压管的反向击穿电压等于 电压值。 5．完全纯净的、具有晶体结构的半导体称为 6.硅材料二极管，当正向偏置电压为 0.2V 时，二极管的导电电流约为 7．在数字电路中，三极管工作在截止状态时，相当于开关 ；工作 在饱和状态时，相当于开关 。 8.放大工作状态的 NPN 和 PNP 型三极管，它们对 PN 结的偏置要求 9.三极管三个电极的电流存在 关系。 10.某三极管测得 UBE=0.7V，UCE=0.3V 时，该三极管的工作状态是 。 11.三极管的电流放大倍数为 40，现测得三极管集电极电流 Ic=2mA，基极电流 IB应为 。 三、分析计算题：
1所示为电路图，如图所示为输入电压波形。6为理想二极管，试西出输出电压 山的被形。（写出分析过程） VD 2所示电路中U1=20N,R=1.6kQ稳旺管V:的稳压值z=12Y,最大允许稳压电流 Iz=l8mA.试求Iz,限流电阻R的值是否合适？ 3.已知三极管两个极的电流大小及方向如题3图所示， ①20mA 试：(1)判断三极管3级分别为？ (2)求第三极的电流及方向： (3)该三极管的电流放大系数B等于多少？ 2 20■A 题3图 第二章：放大电路基础 一、单项选择圈 1.某因定偏置单管故大电路的静态工作点Q如题1图所示，若将直流电源U 适当降低，则Q点将( Ic/nA A、移至Q 直境典金性 B、移至Q" C、移至Q N D、不变 题1图 5
5 1.所示为电路图，如图所示为输入电压波形。VD 为理想二极管，试画出输出电压 uo 的波形。（写出分析过程） 2.所示电路中 Ui=20V,R=1.6kΩ稳圧管 VZ的稳压值 Uz=12V,最大允许稳压电流 Izm=18mA.試求 Iz，限流电阻 R 的值是否合适? 3.已知三极管两个极的电流大小及方向如题3图所示， 试：（1）判断三极管3级分别为？ （2）求第三极的电流及方向； （3）该三极管的电流放大系数 等于多少？ 第二章：放大电路基础 一、单项选择题 1．某固定偏置单管放大电路的静态工作点 Q 如题 1 图所示，若将直流电源 Ucc 适当降低，则 Q 点将( )。 A、移至 Q′ B、移至 Q″ C、移至 Q''' D、不变 题 1 图 ui t 10V 20μA 20mA 题 3 图 ○1 ○2 ○3
2.在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负我电阻R,增大时，电压放大倍 数将) A、被少 B、增大 C、保持不变 D、大小不变，符号改变 3.已知放大电路中的一只低顿小功率品体管的静态基极电流1B为0.047mA,则 其微变等效输入内阻为() A、3000B、326Q C、8530 D,不能确定 4。在单管因定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降U正近似等 于电源电压Uc时，则该管工作状态为() A饱和 B截止 C故大 D.不能确定 5.题5图示放大电路中三极管的静态管压降=7V,则静态电流E为() A5mA B.10mA C.12mA D.24mA 6。某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如题6图所示，欲使静态工作点移 至Q需使()： A偏置电阻RB增加 B.集电极电阻Re减小 C集电极电阻Rc增加 D偏置电阻R减小 0+12W =0A UaN 题6图 题5周 7.题7图示放大电路中，电容CE断开后电路的电压放大倍数的大小将() A减小B.增大C忽大忽小D.保持不变 8。射极输出器电路如题8图所示，C1、C2足够大，对输入的交流信号山可视作 短路。则输出电压与输入电压山之间的关系是( A、两者反相，输出电压大于输入电国 B、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压 C、两者相位差90°，且大小相等 D、两者同相，输出电压大于输入电压 题7图 题8图
6 2．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻 RL 增大时，电压放大倍 数将( ) A、减少 B、增大 C、保持不变 D、大小不变，符号改变 3．已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流 IB 为 0.047mA，则 其微变等效输入内阻 rbe 为( ) A、300Ω B、326Ω C、853Ω D、不能确定 4．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降 UCE-近似等 于电源电压 UCC 时，则该管工作状态为 ( ) A.饱和 B.截止 C.放大 D.不能确定 5．题 5 图示放大电路中三极管的静态管压降 UCE=7V，则静态电流 IE 为（ ） A.5mA B.10mA C.12mA D.24mA 6．某固定偏置单管放大电路的静态工作点 Q 如题 6 图所示，欲使静态工作点移 至 Q′需使 ( )。 A.偏置电阻 RB增加 B.集电极电阻 Rc 减小 C.集电极电阻 Rc 增加 D.偏置电阻 RB减小 7．题 7 图示放大电路中，电容 CE 断开后电路的电压放大倍数的大小将（ ） A.减小 B.增大 C.忽大忽小 D.保持不变 8．射极输出器电路如题 8 图所示，C1、C2 足够大，对输入的交流信号 u 可视作 短路。则输出电压 u0 与输入电压 ui 之间的关系是( )。 A、两者反相，输出电压大于输入电压 B、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压 C、两者相位差 90°，且大小相等 D、两者同相，输出电压大于输入电压 题 5 图 题 6 图 题 7 图 题 8 图