2.有光照时，测量太阳能电池的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子；3.测试太阳电池不同单色光辐照下的光电流，计算太阳电池量子效率和积分电流。三、实验主要仪器设备及材料太阳能电池板、太阳电池伏安测试系统、太阳电池量子效率测试系统。Pmax200max150100Maximum PowerAreaPmax=ImaxVmax500-0.20.40.6年0.00.8Cell Voltage (M)VocVmax实验4热电材料的赛贝克系数测定一、实验目的或实验原理1.了解并掌握几类不同热电效应原理；2.了解并掌握半导体材料热电系数的测量原理及测量方法;3.了解并掌握如何通过热电系数判断半导体材料的导电类型。二、实验内容6
6 2.有光照时，测量太阳能电池的短路电流、开路电压、最 大输出功率及填充因子； 3.测试太阳电池不同单色光辐照下的光电流，计算太阳电 池量子效率和积分电流。 三、实验主要仪器设备及材料 太阳能电池板、太阳电池伏安测试系统、太阳电池量子 效率测试系统。 实验 4 热电材料的赛贝克系数测定 一、实验目的或实验原理 1.了解并掌握几类不同热电效应原理； 2.了解并掌握半导体材料热电系数的测量原理及测量方 法； 3.了解并掌握如何通过热电系数判断半导体材料的导电 类型。 二、实验内容 Vmax Voc
1.测量单晶硅样品的热电系数及判断导电类型：2.测量金属铝样品热电系数；3.测量金属铜样品热电系数。三、实验仪器与材料热电系数测定仪、P型或N型硅片、ITO导电玻璃、金属铝颗粒、金属铜颗粒。2材料B冷端Tc材料A热端Th材料B1实验5射频溅射法沉积半导体薄膜一、实验目的或实验原理1.掌握真空获得的操作过程和方法：2.了解射频溅射镀膜的原理及方法；学会使用射频溅射镀膜技术。二、实验内容1.衬底的清洁处理；7
7 1.测量单晶硅样品的热电系数及判断导电类型； 2.测量金属铝样品热电系数； 3.测量金属铜样品热电系数。 三、实验仪器与材料 热电系数测定仪、P 型或 N 型硅片、ITO 导电玻璃、金 属铝颗粒、金属铜颗粒。 实验 5 射频溅射法沉积半导体薄膜 一、实验目的或实验原理 1.掌握真空获得的操作过程和方法； 2.了解射频溅射镀膜的原理及方法； 学会使用射频溅射镀膜技术。 二、实验内容 1.衬底的清洁处理；
2.真空获得及获得原理；3.射频溅射起辉原理及溅射原理理解，沉积半导体薄膜。三、实验主要仪器设备及材料真空维持系统、腔体、射频电源。宁00000000衬底等离子体区等离子体区000靶材电子L靶材原子氩原子Ar氩离子NSN冷却水冷却水SNSDO?环形永磁体柱状永磁体环形永磁体实验6非晶硅薄膜电导率的测量一、实验目的或实验原理1.测量非晶硅（a-Si：H）薄膜的电导率与温度的关系；2.分析非晶硅薄膜的导电机制；3.了解非晶态半导体能带结构及导电类型。二、实验内容1.测量a-Si：H薄膜的电导率随温度的变化关系；2.用半对数纸作c-1/T曲线；3.求loga-1/T曲线上各直线段的斜率【即△（logα）/A（1/T)】，并计算所对应的能量△E（EC-EF，EA-EF+W1，W2等），分析各直线段所反映的导电机制。三、实验主要仪器设备及材料8
8 2.真空获得及获得原理； 3.射频溅射起辉原理及溅射原理理解，沉积半导体薄膜。 三、实验主要仪器设备及材料 真空维持系统、腔体、射频电源。 实验 6 非晶硅薄膜电导率的测量 一、实验目的或实验原理 1.测量非晶硅（a-Si：H）薄膜的电导率与温度的关系； 2.分析非晶硅薄膜的导电机制； 3.了解非晶态半导体能带结构及导电类型。 二、实验内容 1.测量 a-Si：H 薄膜的电导率随温度的变化关系； 2.用半对数纸作 1/T 曲线； 3.求 log 1/T 曲线上各直线段的斜率【即△（㏒σ）/ △(1/T)】，并计算所对应的能量△E（EC-EF，EA-EF+W1， W2 等），分析各直线段所反映的导电机制。 三、实验主要仪器设备及材料