四、磁导率 磁导率μ是表示磁场空间媒质磁性质的物理量, 是物质导磁能力的标志量。 前面已导出环形线圈的磁场强度H,可得磁感 应强度B为 IN Bx=ul 磁导率的单位 μ的单位B的单位韦/米2伏秒_欧·秒_亨 H的单位安/米安·米米米 真空磁导率o:实验测得,真空的磁导率 o=4×10H/m
四、磁导率 • 磁导率μ是表示磁场空间 媒质 磁性质的物理量， 是物质导磁能力的标志量。 前面已导出环形线圈的磁场强度 H ，可得磁感 应强度 B 为 x x x l IN B = H = 磁导率的单位 米 亨 米 欧 秒 安 米 伏 秒 安 米 韦 米 的单位 的单位 的单位 = = = = = / / 2 H B 真空磁导率μ0：实验测得，真空的磁导率 0 = 410−7 H/m
相对磁导率:某种物质的磁导率u与真空磁导率μo 的比值称为相对磁导率,用μ表示。 凡L 凡L μ lo HoF B—B 上式说明,在同样电流的情况下,磁场空间某点 的磁感应强度与该点媒质的磁导率有关,若媒质 的磁导率为μ,则磁感应强度B将是真空中磁感 应强度的μ倍。 自然界的所有物质可根据磁导率的大小,大体上 可分为磁性材料和非磁性材料两大类。 非磁性材料的相对磁导率为常数且接近于1 a磁性材料的相对磁导率则很大
相对磁导率：某种物质的磁导率μ与真空磁导率μ0 的比值称为相对磁导率，用μr表示。 • 上式说明，在同样电流的情况下，磁场空间某点 的磁感应强度与该点媒质的磁导率有关，若媒质 的磁导率为μ，则磁感应强度 B 将是真空中磁感 应强度的μr倍。 0 0 B0 B H H r = = = 自然界的所有物质可根据磁导率的大小，大体上 可分为磁性材料和非磁性材料两大类。 •非磁性材料的相对磁导率为常数且接近于1； •磁性材料的相对磁导率则很大
§9-2.磁路的基本概念和其基本规律 为了使励磁电流产生尽可能大的磁通,在电磁设 备或电磁元件中要放置一定形状的铁心。绝大部 分磁通将通过铁心形成闭合路径—磁路。 磁路的基本物理量 1磁通势F:某一线圈的电流I与其匝数N的乘积 F=IN 单位:(A) 磁通势F的方向由产生它的线圈电流按右手定则确定 ∽2.磁压降Um:某一磁路段中的磁场强度H与磁路长度l的乘积 Um=Hl 单位:(A) a磁压降的方向与磁场强度H的方向一致
§9-2. 磁路的基本概念和其基本规律 • 为了使励磁电流产生尽可能大的磁通，在电磁设 备或电磁元件中要放置一定形状的铁心。绝大部 分磁通将通过铁心形成闭合路径——磁路。 一、磁路的基本物理量 1.磁通势F：某一线圈的电流I与其匝数N的乘积。 F=IN 单位：（A） 磁通势F的方向由产生它的线圈电流按右手定则确定 2．磁压降Um：某一磁路段中的磁场强度H与磁路长度l的乘积 Um=Hl 单位：（A） 磁压降的方向与磁场强度H的方向一致
磁路中的基本定律 1.磁通的连续性原理(KCL)对于磁路中的任一闭和面 在任一时刻,穿过该闭和面的各分支磁路的磁通的代数和等于 Φ1+Φ2+3=0 ∑=0 2.磁路中的安培环路定理(KVL) 对于磁路中的任一闭和路径,在任一时刻,沿该闭和路径中的各段 压降之和等于围绕此闭和路径的所有磁通势之和 fHal=∑N
1.磁通的连续性原理（KCL)对于磁路中的任一闭和面， 在任一时刻，穿过该闭和面的各分支磁路的磁通的代数和等于 零。 Φ1+Φ2+Φ3=0 = 0 1 2 3 2. 磁路中的安培环路定理(KVL) l Hdl = NI 对于磁路中的任一闭和路径，在任一时刻，沿该闭和路径中的各段 磁压降之和等于围绕此闭和路径的所有磁通势之和。 l Hdl = NI 二、磁路中的基本定律
fBMD=∑M=i+i2+i 具体应用此定律时,闭和路径所限定的面积的方向可由路径方 向的右手定则确定。公式等号右边的正负号为:当电流的方向与 面积的方向一致为正号,不一致为负号
在具体应用此定律时，闭和路径所限定的面积的方向可由路径方 向的右手定则确定。公式等号右边的正负号为：当电流的方向与 该面积的方向一致为正号，不一致为负号。 l i1 i2 i3 Hdl NI i1 i 2 i3 l = = + +