活化反应离子镀的由来 为制备化合物薄膜,早期有所谓的反应蒸发法 即使金属蒸气通过活性气氛(如O2、NH3、 CH4)后,反应沉积成相应的化合物。当时,对 活性气体并不施加等离子体激活手段,其结果是 化学反应不易进行得很彻底,沉积物的化学成 分常偏离化合物的化学计量比 ■由此,发展了活化反应蒸发法( activated reactive evaporation,ARE),让金属蒸气通过活性气体 形成的等离子体区,使活性气体和金属原子均 处于离化态,增加两者的反应活性,在衬底上 形成相应的化合物薄膜 ■在此基础上,即产生了活化反应离子镀
◼ 为制备化合物薄膜，早期有所谓的反应蒸发法 ，即使金属蒸气通过活性气氛（如O2、NH3、 CH4）后，反应沉积成相应的化合物。当时，对 活性气体并不施加等离子体激活手段,其结果是 化学反应不易进行得很彻底，沉积物的化学成 分常偏离化合物的化学计量比 ◼ 由此，发展了活化反应蒸发法(activated reactive evaporation，ARE) ，让金属蒸气通过活性气体 形成的等离子体区，使活性气体和金属原子均 处于离化态，增加两者的反应活性，在衬底上 形成相应的化合物薄膜 ◼ 在此基础上，即产生了活化反应离子镀 活化反应离子镀的由来
活化反应离 (3 子镀装置的 示意图 3活化极 2基体 比二极直流放 4反应气体 1等离子体 电离子镀时多 了一个环状的 5原子射流 活化极,它相 对于蒸发源取 6差压板 正电压.该电 7蒸发源 极从蒸发源吸 引来来少量的 电子,以提高 真空 8真空室 蒸发粒子的离 化率
活化反应离 子镀装置的 示意图 3 活化极 1 等离子体 2 基体 4 反应气体 5 原子射流 6 差压板 7 蒸发源 8 真空室 比二极直流放 电离子镀时多 了一个环状的 活化极,它相 对于蒸发源取 正电压.该电 极从蒸发源吸 引来来少量的 电子，以提高 蒸发粒子的离 化率
活化反应离子镀的优点 衬底温度低—在较低的温度下即可获得相应 的金属化合物薄膜 可在任意基底上,包括金属、非金属上获得化 合物薄膜 比溅射沉积法的沉积速率高一个数量级 化合物的沉积与离子的活化过程相分离,且可 分别得到独立控制,并使沉积温度在一定范围 内可调
◼ 衬底温度低——在较低的温度下即可获得相应 的金属化合物薄膜 ◼ 可在任意基底上，包括金属、非金属上获得化 合物薄膜 ◼ 比溅射沉积法的沉积速率高一个数量级 ◼ 化合物的沉积与离子的活化过程相分离，且可 分别得到独立控制，并使沉积温度在一定范围 内可调 活化反应离子镀的优点