二、动态存储器 1.DRAM的存储元 单管动态存储元电路如图6.3所示。 2.DRAM的外部特性 图6.4所示为2164A的引脚图，其引脚功能如下： A0~A7:地址输入线。DRAM芯片在构造上的特点是 芯片上的地址引脚是复用的。两次送到芯片上去的地址分 别称为行垫址和列地址。在相应的锁存信号控制下，它们 被锁荐到志片内部的行地址锁荐器和列地址锁荐器中。 DIN和DOUT:芯片的数据输入、输出线。 RAS:行地址锁存信号。 CAS:列地址锁存信号。 WE:写允许信号。当它为低电平时，允许将数据写入。 反之，当WE时，可以从芯片读出数据。 现朵计算款 退出 6.1.4
6.1.4 二、动态存储器 1. DRAM的存储元 单管动态存储元电路如图6.3所示。 2. DRAM的外部特性 图6.4所示为2164A的引脚图，其引脚功能如下： A0～A7：地址输入线。DRAM芯片在构造上的特点是 芯片上的地址引脚是复用的。两次送到芯片上去的地址分 别称为行地址和列地址。在相应的锁存信号控制下，它们 被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器中。 DIN和DOUT：芯片的数据输入、输出线。 RAS：行地址锁存信号。 CAS：列地址锁存信号。 WE：写允许信号。当它为低电平时，允许将数据写入。 反之，当WE=l时，可以从芯片读出数据。 退 出
6.1.5只读存储器的存储元及外部特性 一、 EPROM 1.EPROM的存储元 它的基本存储单元的结构和工作原理如图6.5所示。 2.EPROM的外部特性 27256的外部引脚如图6.6所示，这是一块32K×8bit 的EPROM芯片，27256各引脚如下： A0~A14:5根地址输入线。 D0~D7:8根双向数据线。 CE:选片信号，低电平有效。 OE:输出允许信号，低电平有效。当OE=0时，芯片 中的数据可由D0~D7端输出。 VpP:,编程电压输入端。，编程时应在该端加上编程高 电压，不同的芯片对VPP的值要求的不一样，可以是 +12.5V,+15V,+21V,+25V等。 染计算来 退出
6.1.5 只读存储器的存储元及外部特性 一、EPROM 1. EPROM的存储元 它的基本存储单元的结构和工作原理如图6.5所示。 2. EPROM的外部特性 27256的外部引脚如图6.6所示，这是一块32K×8bit 的EPROM芯片，27256各引脚如下： A0～Al4：l5根地址输入线。 D0～D7：8根双向数据线。 CE ：选片信号，低电平有效。 OE ：输出允许信号，低电平有效。当OE=0时，芯片 中的数据可由D0～D7端输出。 Vpp：编程电压输入端。编程时应在该端加上编程高 电压，不同的芯片对VPP的值要求的不一样，可以是 +12.5V，+15V，+21V，+25V等。 退 出
二、EEPROM 1.EEPROM的存储元 E2PROM存储元的结构示意图如图6.7所示。 2.EEPROM的外部特性 NMC98C64A为8K×8位的EEPROM,其引脚如图 6.8所示。其中： A0~A12:13根地址线。 D0~D7:8条数据线。 CE:选片信号，低电平有效。 OE：输出允许信号，低电平有效。 WE:写允许信号，低电平有效。 READY/BUSY:状态输出端。98C64A正在执行编程 写入时，此管脚为低电平。写完后，此管脚变为高电平。 因为正在写入当前数据时，98C64A不接收CP送来的下 个数据，所以CPU可以通过检查此管脚的状态来判断写 操作是否结束。 计算接式 退出 6.1.5
6.1.5 二、EEPROM 1. EEPROM的存储元 E2PROM存储元的结构示意图如图6.7所示。 2. EEPROM的外部特性 NMC98C64A为8K×8位的EEPROM，其引脚如图 6.8所示。其中： A0～A12：13根地址线。 D0～D7：8条数据线。 CE：选片信号，低电平有效。 OE ：输出允许信号，低电平有效。 WE：写允许信号，低电平有效。 READY/BUSY：状态输出端。98C64A正在执行编程 写入时，此管脚为低电平。写完后，此管脚变为高电平。 因为正在写入当前数据时，98C64A不接收CPU送来的下 一个数据，所以CPU可以通过检查此管脚的状态来判断写 操作是否结束。 退 出
第二节 地址译码 CPU输出的地址引脚如何与存储芯片的地址连接呢？ 通常将CPU的地址引脚与同名的存储芯片的地址引脚直接 相连，CPU剩余的地址引脚，也即高位地址通过译码连接 存储芯片的片选端。 朵计算和缺 退出
第二节 地址译码 CPU输出的地址引脚如何与存储芯片的地址连接呢？ 通常将CPU的地址引脚与同名的存储芯片的地址引脚直接 相连，CPU剩余的地址引脚，也即高位地址通过译码连接 存储芯片的片选端。 退 出
6.2.1 地址译码方式 存储器的地址译码方式可以分为两种，一种称为全地 址译码，另一种称为部分地址译码。 一、全地址译码方式 所谓全地址译码，就是构成存储器时要使用全部地址 总线信号，、即所有的高位地址信号用来作为译码器的输入， 低位地址信号接存储芯片的地址输入线，从而使得存储器 片上的每一个单元在整个内存空间中具有唯一的一个地 址 如图6.9所示。这是一片SRAM6264与8086/8088系 统的连接图。可以看出，只要A19~A13为以下二进制位 时，.就可访问6264存储单元，具体哪一个存储单元由低 13位(A12~A0)决定. 现计式 退出
6.2.1 地址译码方式 存储器的地址译码方式可以分为两种，一种称为全地 址译码，另一种称为部分地址译码。 一、全地址译码方式 所谓全地址译码，就是构成存储器时要使用全部地址 总线信号，即所有的高位地址信号用来作为译码器的输入， 低位地址信号接存储芯片的地址输入线，从而使得存储器 芯片上的每一个单元在整个内存空间中具有唯一的一个地 址。 如图6.9所示。这是一片SRAM 6264与8086/8088系 统的连接图。可以看出，只要A19～A13为以下二进制位 时，就可访问6264存储单元，具体哪一个存储单元由低 13位（A12～A0）决定。 退 出