I表示二次电子流，它包括（真）二次电子和特征二次电 子（俄歇电子），从表面发射出去的二次电子流与入射 电子流的比值(1Ⅱ)称为二次电子产额，用口表示。 <a经) 二次电子产额与电子能量和入射角的普遍关系
6 I S表示二次电子流，它包括（真）二次电子和特征二次电 子（俄歇电子），从表面发射出去的二次电子流与入射 电子流的比值（I S /I 0）称为二次电子产额，用 表示。 二次电子产额与电子能量和入射角的普遍关系
入射电子束 A B (a) is 形貌衬度原理 (b) B (c) D 7
7 形貌衬度原理
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粉体形貌观察 (a)300× (b)6000× a一Al0,团聚体(a)和团聚体内部的一次粒子结构形态(b)
9 粉体形貌观察 α—Al2O3团聚体(a)和 团聚体内部的一次粒子结构形态(b) (a) 300× (b) 6000×
●○ I表示电子激发诱导的X射线辐射强度 I①连续的X射线 [②特征X射线 ③X射线荧光 （二次特征X射线)
10 IX表示电子激发诱导的X射线辐射强度 l ①连续的X射线 l ②特征X射线 l ③X射线荧光（二次特征X射线）