1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中 画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。 912V 0 15V Q12V 912 V 0 14.8V 图P1.15 解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.15所示 解表P1.15 管号 T T T 上 b 管型 PNP NPN NPN PNP NPN G 1.16电路如图P1.16所示,晶体管导通时UBE=0.7V,B=50。试分析VBB 为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uo的值。 解:(1)当VBB=0时,T截止,uo=12V (2)当VBB=1V时,因为 d(+12V) I kQ 60uA RD Ico =bibo =3mA Rb Mo=VcC-IcoRc =9V 所以T处于放大状态 (3)当VBB=3V时,因为 VBB-UBEQ=160u A 图P1.16 R 第一章题解-11
1.15 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图 P1.15 所示。在圆圈中 画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 图 P1.15 解 ： 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表 P1.15 所示。 解 表 P1.15 管 号 T1 T2 T3 T4 T5 T6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下 c e c c b c 管 型 PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材 料 Si Si Si Ge Ge Ge 1.16 电路如图 P1.16 所 示 ，晶 体 管 导 通 时 UB E＝ 0.7V，β =50。试 分 析 VB B 为 0V、 1V、 1.5V三种情况下 T的工作状态及输出电压 uO的值。 解 ：（ 1） 当 VB B＝ 0 时 ， T截止， uO＝ 12V。 （ 2） 当 VB B＝ 1V时，因为 60 b BB BEQ BQ = − = R UV I μ A V9 mA3 CCO CCQ CQ BQ =−= == RIVu β II 所 以 T 处于放大状态。 （ 3） 当 VB B＝ 3V时，因为 160 b BB BEQ BQ = − = R UV I μ A 图 P1.16 第一章题解－ 11
Ico=BIBo=8mA Mo=Vcc-IcoRC UBe 所以T处于饱和状态。 1.17电路如图P1.17所示,试问B大于多少 时晶体管饱和? R 解:取UcEs=UBE,若管子饱和,则 R B RD R=BRo 所以,B≥=100时,管子饱和。 图P117 1.18电路如图P1.18所示,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降 UcEs|=0.V;稳压管的稳定电压Uz=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问: 当u1=0V时uo=?当u=-5V时to=? 解:当=0时,晶体管截止,稳压管 击穿,uo=-Uz=-5V。 (-12V) 当=-5V时,晶体管饱和,uo=0.1V R 因为 =40 480μA Rb 10kQ2 Ic=BlB=24mA UEC=VcC-cIRe<Vco 第一章题解-12
O BECCQ CQ BQ mA8 URIVu II CC −= ＜ β == 所 以 T 处于饱和状态。 1.17 电路如图 P1.17 所 示 ，试 问 β 大于多少 时晶体管饱和？ 解 ： 取 UCES＝ UB E，若管子饱和，则 b C C CC BE b CC BE RR R UV R UV β β = − = − ⋅ 所以， 100 C b =≥ R R β 时，管子饱和。 图 P1.17 1.18 电路如图 P1.18 所示，晶体管的 β ＝ 50， |UB E|＝ 0.2V，饱和管压降 |UCES|＝ 0.1V；稳压管的稳定电压 UZ＝ 5V，正向导通电压 UD＝ 0.5V。试问： 当 uI＝ 0V时 uO＝？当 uI＝ － 5V时 uO＝ ？ 解 ： 当 uI＝ 0 时，晶体管截止，稳压管 击穿， uO＝ － UZ＝ － 5V。 当 uI＝ － 5V时 ，晶 体 管 饱 和 ，uO＝ 0.1V。 因 为 mA24 480μA C B b BEI B == = − = II R Uu I β EC −= ＜VRIVU CCCCCC 图 P1.18 第一章题解－ 12
1.19分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态 +6V R 凸KK 1.5V V T R 解:(a)可能(b)可能(c)不能 (d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能 1.20已知某结型场效应管的lDss=2mA, UGs (off=-4V,试画出它的 转移特性曲线和输出特性曲线,并近似画出予夹断轨迹 解:根据方程 ip =lpss( 逐点求出确定的uGs下的i,可近似画出转移特性和输出特性;在输出特性中, 将各条曲线上uGD= URstoff的点连接起来,便为予夹断线;如解图P1.20所示。 第一章题解-13
1.19 分别判断图 P1.19 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 图 P1.19 解 ：（ a）可能 （ b）可能 （ c）不能 （ d）不能， T 的发射结会因电流过大而损坏。 （ e）可能 1.20 已知某结型场效应管的 IDSS＝ 2mA， UG S （ off ） ＝ － 4V，试画出它的 转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出予夹断轨迹。 解 ： 根据方程 2 GS(th) GS D DSS )1( U u Ii −= 逐点求出确定的 uG S下 的 iD，可 近 似 画 出 转 移 特 性 和 输 出 特 性 ；在 输 出 特 性 中 ， 将各条曲线上 uG D＝ UG S（ off ）的 点 连 接 起 来 ，便 为 予 夹 断 线 ；如 解 图 P1.20 所示。 第一章题解－ 13
in/mA r/mAl =0V 1.5 2V 3V 解图P1.20 1.21已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分 别为4ⅴ、8V、12V,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管 MOS管、增强型、耗尽型),并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。 解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极①、②、③与G、 S、D的对应关系如解图P1.21所示。 解图P1.21 第一章题解-14
解 图 P1.20 1.21 已知放大电路中一只 N 沟道场效应管三个极①、②、③的电位分 别 为 4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、 MOS 管 、 增 强 型 、 耗 尽 型 ）， 并 说 明 ①、②、③与 G、 S、 D 的对应关系。 解 ：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与 G、 S、 D 的对应关系如解图 P1.21 所示。 解 图 P1.21 第一章题解－ 14
1.22已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示,画出它在恒流区的 转移特性曲线 解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22(a)所示),读 出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGs值,建立iD=∫(uGs)坐标系,描点, 连线,即可得到转移特性曲线,如解图P1.22(b)所示 y/mAA 6V 5V 解图P1.22 第一章题解-15
1.22 已知场效应管的输出特性曲线如图 P1.22 所 示 ，画 出 它 在 恒 流 区 的 转移特性曲线。 图 P1.22 解 ： 在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图 P1.22（ a）所示〕， 读 出其与各条曲线交点的纵坐标值及 UG S值，建立 iD＝ f（ uG S）坐标系，描点， 连线，即可得到转移特性曲线，如解图 P1.22（ b）所示。 解 图 P1.22 第一章题解－ 15