能量刻度 在能谱测量系统中,线性放大器输出脉冲幅度V与入射粒子能 量E应具有线性关系,这里的V指脉冲幅度分布的中心位置的幅 度值。若输出脉冲幅度与入射粒子能量具有良好的线性关系, 则有: E=K1·V2+K2 而多道脉冲幅度分析器也应具有良好的线性,h∝H2 听以: E=G·h+E 变换系数,单位 零道址对应的粒子能量, 为[ Kev/ch 称为零截 E与h的函数关系,称为能谱仪的能量刻度曲线
在能谱测量系统中，线性放大器输出脉冲幅度V2与入射粒子能 量E应具有线性关系，这里的V2指脉冲幅度分布的中心位置的幅 度值。若输出脉冲幅度与入射粒子能量具有良好的线性关系， 则有： E K1 V2 K2 而多道脉冲幅度分析器也应具有良好的线性， h V2 所以： E G h E0 变换系数，单位 为[KeV/ch] 零道址对应的粒子能量， 称为零截 能量刻度 E与h的函数关系，称为能谱仪的能量刻度曲线
能量刻度通常是对一组已知能量的放射源进行测量来完成的。 E↑入射粒子的能量 EEE 能量刻 度曲线 道址 E h
能量刻度通常是对一组已知能量的放射源进行测量来完成的。 h E E0 G E1 E2 E3 2 h1 h3 h 入射粒子的能量 道址 能量刻 度曲线
采用金硅面垒半导体a谱仪测得的脉冲幅度谱 h 5.486MeV E 4 Am Ti=433a a15443128% 14. 8 KeV FWHM 5.443M 线性拟和 E=E1+ E2-E1 h-h) h,-h 为提高能量刻度的精度,可以采用更多的已知能量的峰进行能量刻度
( ) 1 2 1 2 1 1 h h h h E E E E 线性拟和 为提高能量刻度的精度，可以采用更多的已知能量的峰进行能量刻度。 采用金硅面垒半导体α谱仪测得的脉冲幅度谱 h2 E2 h1 E1 2 5.486 85.2% 1 5.443 12.8% 241Am T1/2=433a 237Np
半导体制冷的金硅面垒半导体α谱仪的能量刻度曲线 最小二乘法 6.5距离:15mm:1.87keV/道;FWHM=12.2keV 6.115 6.071 >2 5 239Pu5.305x 5.486 5.157 7 N 241Am R>0.99 4.787 100 150 200 250 道数 对测量点进行线性拟和可得到能量刻度关系式E=A+Bh, 线性拟和的相关系数体现了系统线性的好坏R→1。 作业:如何用语言来准确的叙述怎样进行能量刻度?
对测量点进行线性拟和可得到能量刻度关系式E＝A＋Bh， 线性拟和的相关系数体现了系统线性的好坏R1。 最小二乘法 半导体制冷的金硅面垒半导体α谱仪的能量刻度曲线 R>0.99 作业：如何用语言来准确的叙述怎样进行能量刻度？
带电粒子的典型能谱 5.486(86 计 5.443012.7 5.389(13) 5.5130.12 5.545(0.2 能量
带电粒子的典型能谱 能量