载流子受洛仑兹力 F=eUB 霍尔电场强度 EH U以 b 平衡状态 =evB 因为 I=nbdve 电子运动平均速度 bdne 返同 上一页 下一页
F = eB b U E H H = eEH = evB 载流子受洛仑兹力 霍尔电场强度 平衡状态 EH = vB bdne I 电子运动平均速度 v = 返 回 上一页 下一页 因为 I = nbdve
霍尔电势 1 IB UH ne d
d IB ne UH = 1 霍尔电势
霍尔常数 ne 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小， 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d成反比： 为了提高霍尔电势值，霍尔元件制成薄片形状。 UH =KH BI KH- Rn_ 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） d ned 由于半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁 移室高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件 返回 上一页 下一页
霍尔常数 ne RH 1 = 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小， 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d 成反比： 为了提高霍尔电势值， 霍尔元件制成薄片形状。 U K BI H = H d ned R K H H 1 = = 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） 由于半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁 移率高，因此N 型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件. 返 回 上一页 下一页