表36部分国外硅高频小功率三极管参数 材料类型 ICM BIcE 封装 MHZ 9011Si|NPN400 370 9014 30 020000 270 9015 9018 NPN 例:Q2N916晶体管的SPCE模型参数 NPN(Is=6.734fXti=3Eg=1.11vaf=74.03Bf=336.4Ne=1.218Ise=6.734f Ikf61 58m Xtb=1. 5 Br=. 7883 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=l Cjc=3. 638p Mjc=.3085Vjc=.75Fe=.5Cje=4.493pMje=.2593Vje=.75Tr=242.8n Tf=300 9p Itf= 4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10) 7.3DJ6N场效应管参数 表373DJ6N沟结型场效应管参数 型号|3DJ6D3DE|3D6F|3DJ6G3DJ6H测试条件管脚 饱和漏源电流 03503~121-3.53~6.56-10 夹断电压v(V)<9<<<9<9 ' Ds=10v 栅源绝缘电阻 ≥103≥103≥10≥10≥103 共源小信号低频 跨导 >1000>1000>1000>1000>1000s=3 f= khZ =500kHz 反馈电容Ca≤2|≤2 ≤2 Vos=10v 频噪声N(dB)≤5 1kHz 10≥10≥10≥10≥10 最高振荡频率f 30≥30≥30≥30≥30 ≥20≥20≥20≥20≥
11 表 3.6 部分国外硅高频小功率三极管参数 型号 材料 类型 PCM mW ICM mA BVCEO fT MHz 封装 9011 Si NPN 400 30 50 370 9012 Si PNP 400 400 25 200 9013 Si NPN 400 400 40 250 9014 Si NPN 400 30 50 270 9015 Si PNP 600 -100 -50 190 9016 Si NPN 600 25 30 620 9018 Si NPN 400 50 30 1100 例：Q2N916 晶体管的 SPICE 模型参数 NPN(Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74.03 Bf=336.4 Ne=1.218 Ise=6.734f Ikf=61.58m Xtb=1.5 Br=.7883 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.493p Mje=.2593 Vje=.75 Tr=242.8n Tf=300.9p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10) 7. 3DJ6N 场效应管参数 表 3.7 3DJ6N 沟结型场效应管参数 型 号 3DJ6D 3DJ6E 3DJ6F 3DJ6G 3DJ6H 测试条件 管 脚 饱和漏源电流 IDSS (mA) ＜0.35 0.3~1.2 1~3.5 3~6.5 6~10 VDS =10V VGS =0V 夹断电压 VP (V) ＜|－9| ＜|-9| ＜|-9| ＜|-9| ＜|-9| VDS =10V IDS =50μA 栅源绝缘电阻 RGS (Ω) ≥108 ≥108 ≥108 ≥108 ≥108 VDS= 0V VGS = 10V 共源小信号低频 跨导 gm (μs) ＞1000 ＞1000 ＞1000 ＞1000 ＞1000 VDS=10V IDS = 3mA f = 1kHz 输入电容 CGS (pF) ≤5 ≤5 ≤5 ≤5 ≤5 VDS =10V f =500kHz 反馈电容 CGD (pF) ≤2 ≤2 ≤2 ≤2 ≤2 VDS =10V f =500kHz 低频噪声 NFI (dB) ≤5 ≤5 ≤5 ≤5 ≤5 VDS =10V RG =10MΩ f = 1kHz 高频功率增益 KPS (dB) ≥10 ≥10 ≥10 ≥10 ≥10 VDS =10V f =3MHz 最高振荡频率 fM (MHz) ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 VDS =10V 最大漏源电压 V(BR)DS(V) ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 最大栅源电压 V(BB)GS (V) ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 ≥20 最大耗散功率 PDM (mW) 100 100 100 100 100 或 C B E S G D S D G
人0“B“ 四、几种常用模拟集成电路简介 uA741通用运算放大器 ①引线排列图 调零 8空 uA741通用运算放大器的引线排 反相 6∏输出 列如图416所示。 同相入凵3 5调零 ②参数规范 uA741通用运算放大器的主要参 图41uA741引线排列图 数列于表41中,供参考。 表41μA741通用运算放大器的主要参数 测试条件:T=25℃,Vcc=V=l5V 最小值典型值最大值单位 输入失调电压 los输入失调电流 输入电容 cR共模输入电压范围 ±12.0|±13.0 CMRR共模抑制比 PSRR s=±3~±18V 环电压增益R1≥Kg,=±10V20 V/mv R1≥10K9 输出电压摆幅 ±12±±14.0 100±13.0 输出电阻 o=0,lo=0 输出短路电流 电源电流 Pd 功耗 J=±15V无负载
12 最大漏源电流 IDM(mA) 15 15 15 15 15 四、 几种常用模拟集成电路简介 1. μA741 通用运算放大器 ①引线排列图 μA741 通用运算放大器的引线排 列如图 4.1.6 所示。 ②参数规范 μA741 通用运算放大器的主要参 数列于表 4.1 中，供参考。 表 4.1 μA741 通用运算放大器的主要参数 测试条件：T=25℃，VCC =VEE=15V 符号 参 数 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 VOS 输入失调电压 2 6 mV IOS 输入失调电流 20 200 nA IB 输入偏置电流 80 500 nA RIN 输入电阻 0.3 2.0 MΩ RINCM 输入电容 1.4 pF VIOR 失调电压调整范围 ±15 mV VICR 共模输入电压范围 ±12.0 ±13.0 V CMRR 共模抑制比 VCM=±13V 70 90 dB PSRR 电源抑制比 VS=±3~~±18V 30 150 μV ⁄ V AVO 开环电压增益 RL≥2KΩ,VO=±10V 20 200 V/mV VO 输出电压摆幅 RL≥10KΩ RL≥2KΩ ±12± 10.0 ±14.0 ±13.0 V SR 摆率 RL≥2KΩ 0.5 V/μs Ro 输出电阻 Vo=0, Io=0 75 Ω IOS 输出短路电流 25 mA IS 电源电流 1.7 2.8 mA Pd 功耗 Vs=±15V 无负载 50 85 mW 图 4.1μA741 引线排列图 3 2 7 1 5 6 4 8 空 7 V+ 6 输出 5 调零 调零 1 反相入 2 同相入 3 V- 4