10% 标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10,其中n为正整数或负整数。 表25某电容器的型号与主要参数 C 63v一 0. 01u F Ⅱ 主称材料分类 电容器|调频瓷 序号 耐压标称容量容许误差 001uF 级±20% 作为实例,表2.5列出某电容器的型号与主要参数。可以看出它是高功率高频瓷介 电容器,耐压63V,容量为001μF,容许误差为±20%。 3.电容器电容量的几种标注方法 目前电容器的电容量标注方法比较混乱,稍不留神就会出错,因此建议对于容易混 淆的电容,最好用电容表进行测量后再使用 (1)电解电容器电容量值的标注法均采用数字直接描述法,即直接标出“**μF 的字样,如47μF,4700μF等。 (2)“传统标注法”对于小于10000F的电容,以pF为单位标注而不标注单位,如 4700pF标注为4700:47pF标注为47等 常用电容器的几项主要特性列于表26。 表26常用电容器的几项主要特性 名称 型号容量范/直流工作适用频率准确度漏阻(M9) 电压(V) MHz) 纸介电容器 中、小型)|CZ型/70pF~-022 3~6308以下|±(5~20)%>5000 金属壳密封 0.01μF~10 直流、脉动 ±(5~20)% >1000~ 纸介电容器 250~1600 直流 金属化纸介电容 器(中、小型)/CJ|001uF~|160,250, 8以下|±(5~20% 金属壳密封金属 022uF~ 直流、脉动 化纸介电容器C3 60~1600 直流 ±(5~20)%>30~5000 薄膜电容器 F~0F63~500高频、低频|土(5~20)% 10000 云母电容器 CY|p~0.05 100~7000 令以下+(2-~20%>1000 频、高频 瓷介电容器 CC|pF~0uF63~63050~3000±(2~20)% 10000 铝电解 1~10000μ 直流脉动 +20%~ CD 4~500 +50% 电容器 直流 30%
6 -10% 标称电容量为表中数值或表中数值再乘以 10n ，其中 n 为正整数或负整数。 表 2.5 某电容器的型号与主要参数 C C G 1 — 63V— 0.01μF Ⅱ 主 称 电容器 材 料 调频瓷 分 类 高功率 序号 耐压 63V 标称容量 0.01μF 容许误差 Ⅱ级±20% 作为实例，表 2.5 列出某电容器的型号与主要参数。可以看出它是高功率高频瓷介 电容器，耐压 63V，容量为 0.01μF，容许误差为±20%。 3. 电容器电容量的几种标注方法 目前电容器的电容量标注方法比较混乱，稍不留神就会出错，因此建议对于容易混 淆的电容，最好用电容表进行测量后再使用。 （1）电解电容器电容量值的标注法均采用数字直接描述法，即直接标出“***μF” 的字样，如 47μF，4700μF 等。 （2）“传统标注法”对于小于 10000pF 的电容，以 pF 为单位标注而不标注单位，如 4700pF 标注为 4700；47pF 标注为 47 等。 常用电容器的几项主要特性列于表 2.6。 表 2.6 常用电容器的几项主要特性 名称 型号 容量范围 直流工作 电压(V) 适用频率 (MHz) 准确度 漏阻(MΩ) 纸介电容器 (中、小型) CZ 型 470pF～0.22 μF 63～630 8 以下 ±(5～20)% ＞5000 金属壳密封 纸介电容器 CZ3 0.01μF～10 μF 250～1600 直流、脉动 直流 ±(5～20)% ＞1000～ 5000 金属化纸介电容 器(中、小型) CJ 0.01μF～ 0.2μF 160，250， 400 8 以下 ±(5～20)% ＞2000 金属壳密封金属 化纸介电容器 CJ3 0.22μF～30 μF 160～1600 直流、脉动 直流 ±(5～20)% ＞30～5000 薄膜电容器 3pF～0.1μF 63～500 高频、低频 ±(5～20)% ＞10000 云母电容器 CY 10pF～0.051 μF 100～7000 75～250 以下 ±(2～20)% ＞10000 瓷介电容器 CC 1pF～0.1μF 63～630 低频、高频 50～3000 以下 ±(2～20)% ＞10000 铝电解 电容器 CD 1～10000μ F 4～500 直流脉动 直流 +20%～ +50% -30%
钽、铌电 0.47μF 直流脉动±20% 解电容器 CA CN 6.3~160 1000μF 直流 2/7pF 瓷介微调电容器ccwm2|250~500 高频 >1000~ 10000 最小>7pF 可变电容器 最大<100以下|低频,高频 500 1000pF 对于大于1000P而小于1uF的电容,以μF为单位标注,省略单位,如47000 即047μF,标注为047或47,47000pF即0047μF标注为0047或047。 从以上例子可以看出,这种标注方法是很容易识别的,凡是大于1的数均是以pF为 单位,凡是小于1的小数均是以μF为单位,凡电容量大于1μF的电容,后面均标出单 位(μF)。 (3)电容值的色码标注法 电容器的电容量均以三位数字标注,单位为pF,三位数字的含义是前两位为有效数 字,第三位为10的幂次,如473即为47×10pF,这个电容值与标注为0.047或047的 含义是一样的,105即为1uF,104为0.1uF。 这种标注方法主要以小型瓷介电容为主。 3.电容器的电路符号 电容器的电路符号如图24所示 4.常见的几种电容器的外形结构 常见的几种电容器的外形结构如图45所示。 固定电容器电解电容器可变电容器半可变电容器 图24电容器的电路符号 42)-5- 独石电容器 OuF 6V 瓷介电容器 电解电容器 可变电容器 图25几种电容器的外形结构
7 -20% 钽、铌电 解电容器 CA CN 0.47μF～ 1000μF 6.3～160 直流脉动 直流 ±20%～ +20% -30% 瓷介微调电容器 CCW 2/7pF～ 7/25pF 250～500 高频 ＞1000～ 10000 可变电容器 CB 最小＞7pF 最大＜ 1000pF 100 以下 低频，高频 ＞500 对于大于 10000PF 而小于 1μF 的电容，以μF 为单位标注，省略单位，如 470000pF 即 0.47μF，标注为 0.47 或 .47，47000pF 即 0.047μF 标注为 0.047 或 .047。 从以上例子可以看出，这种标注方法是很容易识别的，凡是大于 1 的数均是以 pF 为 单位，凡是小于 1 的小数均是以μF 为单位，凡电容量大于 1μF 的电容，后面均标出单 位（μF）。 （3）电容值的色码标注法 电容器的电容量均以三位数字标注，单位为 pF，三位数字的含义是前两位为有效数 字，第三位为 10 的幂次，如 473 即为 47×103 pF，这个电容值与标注为 0.047 或 .047 的 含义是一样的，105 即为 1μF，104 为 0.1μF。 这种标注方法主要以小型瓷介电容为主。 3. 电容器的电路符号 电容器的电路符号如图 2. 4 所示。 4. 常见的几种电容器的外形结构 常见的几种电容器的外形结构如图 4.5 所示。 图 2.4 电容器的电路符号 + 固定电容器 电解电容器 可变电容器 半可变电容器 纸介电容器 1.0uF 400V 100 ±5% 500v 222 102 30uF 6V 纸介电容器 云母电容器 独石电容器 瓷介电容器 电解电容器 可变电容器 图 2.5 几种电容器的外形结构
三、常用半导体器件型号命名法 1.常用半导体器件型号命名的国家标准 常用半导体器件的型号命名由五个部分组成,第一部分用数字表示电极的数目:第 二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和极性;第三部分表示器件的类别;第四部分表 示器件的序号;第五部分表示规格。具体规定见表3.1所示 表31中国国家标准(GB-249-74)规定的半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分第五部分 目数字表示器|用汉语拼音字母表示用汉语拼音字母表示用数字表示用汉语拼音字 件的电极数目器件的材料和极性 器件的类别 器件序号母表示规格号 符号意义符号 符号 二极管AN型锗材料 普通管 极管B 型锗材料V 微波管 C|N型硅材料W 稳压管 DP型硅材料|C 参量管 A|PNP型锗材料|Z 整流管 B|NPN型锗材料L 整流堆 C|PNP型硅材料|S 隧道管 D|NPN型硅材料N 阻尼管 E化合物材料K 开关管 X|低频小功率管 fa3MHz、 G高频小功率管 >3MHz、 Pc<Iw D低频大功率管 <3MHz、 ≥ A高频大功率管 fa≥3MHz V|Pc≥1W 光电器件 锆型场效应管 例 31A 管子规格为A档 它是锗NPN型 序号为31 低频小功率管 低频小功率管
8 三、 常用半导体器件型号命名法 1. 常用半导体器件型号命名的国家标准 常用半导体器件的型号命名由五个部分组成，第一部分用数字表示电极的数目；第 二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和极性；第三部分表示器件的类别；第四部分表 示器件的序号；第五部分表示规格。具体规定见表 3.1 所示。 表 3.1 中国国家标准(GB-249-74)规定的半导体器件型号命名方法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器 件的电极数目 用汉语拼音字母表示 器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示 器件的类别 用数字表示 器件序号 用汉语拼音字 母表示规格号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 2 二极管 A N 型锗材料 P 普通管 3 三极管 B P 型锗材料 V 微波管 C N 型硅材料 W 稳压管 D P 型硅材料 C 参量管 A PNP 型锗材料 Z 整流管 B NPN 型锗材料 L 整流堆 C PNP 型硅材料 S 隧道管 D NPN 型硅材料 N 阻尼管 E 化合物材料 K 开关管 X 低频小功率管 G D A V J fα＜3MHz、 Pc＜1W 高频小功率管 fα＞3MHz、 Pc＜1W 低频大功率管 fα＜3MHz、 Pc≥1W 高频大功率管 fα≥3MHz、 Pc≥1W 光电器件 结型场效应管 示例 3 B X 31 A 管子规格为 A 档 序号为 31 低频小功率管 它是锗 NPN 型 低频小功率管
NPN型锗材料 极管 2.日本常用半导体器件的型号命名标准 表32日本半导体器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 数字表示器件日本电子工业用字母表示器件使用材器件在日本电子工同一型号的改 有效电极数目或协会(JELA 料极性和类型业协会EA)的登进型产品标志 注册标志 符号意义符号意义符号 义符号意义符号意义 0|光电二极管S在日APN高频晶体管多位这一器件在A表示这 或三极管及 本电 低频晶体管 数字日本电子协B器件是原 包括上述 业 NPN高频晶体管 会(JEA)的注C|型号产品 件的组合管 会(JEA 册登记号性D的改进产 极管 注册登D卜NPN低频晶体管 能相同,不同 极管或具 记的 P控制极晶闸管]|家生产的 有三个有效|导体器G|N控制极晶闸管器件可以使 电极的其它 H单结晶体管 用同一个登 器件 记号 3具有四个 极的器件 KN沟道场效应管 1俱具有n个 M双向晶闸管 极的器件 示例 SD880 2SD1350 EIA登记号 JIA登记号 NPN低频晶体管 NPN低频晶体管 JEIA注册产品 JEIA注册产品 极管 3.日本常用半导体器件的型号命名标准 表3.3美国半导体器件命名法 第一部分 部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示 用数字表示美国电子工业协会美国电子工业协用字母表示 器件类别 PN结数目 (EA)注册标志会(FA)登记号器件分档 符号意 JAN 级1二极管N该器件已在多位核器件在 JANTX特军级2 极管 美国电子工数字美国电B|号器件 JANTXVI超特军级3三个PN结 业协会(EA 子工业C的不 JANS|宇航级 器件 注册登记 协会D|档次 (无)非军用品nn个PN结 (EA)的 器件 登记号
9 NPN 型锗材料 三极管 2. 日本常用半导体器件的型号命名标准 表 3.2 日本半导体器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器件 有效电极数目或 类型 日本电子工业 协会(JEIA) 注册标志 用字母表示器件使用材 料极性和类型 器件在日本电子工 业协会(JEIA)的登 记号 同一型号的改 进型产品标志 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意义 A NPN 高频晶体管 B PNP 低频晶体管 0 光电二极管 或三极管及 包括上述器 件的组合管 C NPN 高频晶体管 1 二极管 D NPN 低频晶体管 F P 控制极晶闸管 G N 控制极晶闸管 2 三极管或具 有三个有效 电极的其它 器件 H 单结晶体管 3 具有四个电 J P 沟道场效应管 极的器件 K N 沟道场效应管 n-1 具有 n 个电 极的器件 S 已在日 本电子 工业协 会(JEIA) 注册登 记的半 导体器 件 M 双向晶闸管 多位 数字 这一器件在 日本电子协 会(JEIA)的注 册登记号性 能相同，不同 厂家生产的 器件可以使 用同一个登 记号 A B C D 表示这一 器件是原 型号产品 的改进产 品 示例： EIA 登记号 NPN 低频晶体管 JEIA 注册产品 三极管 JEIA 登记号 NPN 低频晶体管 JEIA 注册产品 三极管 3. 日本常用半导体器件的型号命名标准 表 3.3 美国半导体器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示 器件类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会 (EIA)注册标志 美国电子工业协 会(FIA)登记号 用字母表示 器件分档 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 符号 意 义 JAN JANTX JANTXV JANS (无) 军 级 特军级 超特军级 宇 航 级 非军用品 1 2 3 n 二极管 三极管 三个 PN 结 器件 n 个 PN 结 器件 N 该器件已在 美国电子工 业协会(EIA) 注册登记 多位 数字 该器件在 美国电 子工业 协 会 (EIA) 的 登记号 A B C D 同 一 型 号器件 的不同 档次 2 S D 880 2 S D 1350
示例: JAN 2 N 3553 2N5685 EIA登记号 EIA登记号 EIA注册标志 EIA注册标志 三极管 三极管 军用品 4.常用的整流二极管型号及性能 表34常用的整流二极管型号及性能 最高反额定正正向电反向漏电不重复正「频率∫额定结 原型号新型号向峰值向整流压降流(平均同向浪涌电(kH)温|备注 电压电流V()值)流(A) T(℃ Ik(uA 2CP102Cz225V0 1.0100 150 2CP332CZ54A 25v050 150 5.硅高频小功率三极管参数 表3.5硅高频小功率三极管参数 3DG6 型号3D0A3DG1003Do0c30mD测试条件 ≥20 ≥30 ≥20 ≥30c=100A =10 直 L IcEo(uA ≤01≤01≤01 ≤01Vc=/0 流参数 ≤001≤001≤001≤001 =5V ≤ 10mA I8=lmA ≤11c=10m4,I2=m4 fr(He) ≥150 150 ≥300 ≥300VcB=0E=3m4 流AdB ≥7vcB=10lg=3m4 =100MH VcR=lov IF=0 h色标分档 (红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150 6.部分国外硅高频小功率三极管参数
10 示例： 2 N 5685 JAN 2 N 3553 EIA 登记号 EIA 注册标志 三极管 EIA 登记号 EIA 注册标志 三极管 军用品 4. 常用的整流二极管型号及性能 表 3.4 常用的整流二极管型号及性能 原型号 新型号 最高反 向峰值 电压 VRM(V) 额定正 向整流 电流 If (A) 正向电 压降 Vf (V) 反向漏电 流(平均 值) Ik (μA) 不重复正 向浪涌电 流(A) 频率 f (kHz) 额定结 温 TjM (℃) 备注 2CP10 2CZ52 25V 0.10 ≤1.0 100 2 3 150 2CP33 2CZ54A 25V 0.50 ≤1.0 500 10 3 150 5. 硅高频小功率三极管参数 表 3.5 硅高频小功率三极管参数 原 型 号 3DG6 新 型 号 3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D 测 试 条 件 PCM(mW) 100 100 100 100 ICM(mA) 20 20 20 20 V(BR)CBO(V) ≥30 ≥40 ≥30 ≥30 V(BR)CEO(V) ≥20 ≥30 ≥20 ≥30 IC =100μA 极 限 参 数 V(BR)EBO(V) ≥4 ≥4 ≥4 ≥4 IB =100μA ICBO(μA) ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 VCB =10V ICEO(μA) ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 VCE =10V IEBO(μA) ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 VEB =1.5V VBES(V) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IC=10mA IB=1mA VCES(V) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IC =10mA，IB=1mA 直 流 参 数 hFE ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 VCE =10V，IC =3mA fT (MHz) ≥150 ≥150 ≥300 ≥300 VCB=10V IE =3mA f=100MHz RL =5Ω AP(dB) ≥7 ≥7 ≥7 ≥7 VCB=10V IE =3mA f=100MHz 交 流 参 数 Cob(pF) ≤4 ≤4 ≤4 ≤4 VCB =10V IE =0 hFE色标分档 (红)30～60 (绿)50～110 (蓝)90～160 (白)＞150 管 脚 6. 部分国外硅高频小功率三极管参数 E C B