{110硅的激光辅助湿法腐蚀技术 对于110}硅片，先用激光进行刻蚀，然后再用湿法腐蚀剂进 行各向异性腐蚀，可以得到特殊形貌的腐蚀腔，这种激光刻 蚀是预刻蚀技术中的一种。激光束的能量造成硅片局部熔化 或蒸发。使得腐蚀剂能够腐蚀到激光行进路线上的111}面， 这样湿法腐蚀将进行到出现完好的{111}面为止 {1105 激光熔化区 SiO2 Si 35.26 Si02 Si
• 对于{110}硅片，先用激光进行刻蚀，然后再用湿法腐蚀剂进 行各向异性腐蚀，可以得到特殊形貌的腐蚀腔，这种激光刻 蚀是预刻蚀技术中的一种。激光束的能量造成硅片局部熔化 或蒸发。使得腐蚀剂能够腐蚀到激光行进路线上的{111}面， 这样湿法腐蚀将进行到出现完好的{111}面为止
激光可以熔化或破坏较浅的111}晶面，使得在<110> 晶向的硅片上腐蚀出垂直侧壁的通孔成为可能。正常 湿法腐蚀的情况下，由于两个{111}面与{110硅表面 成35.26°，这将限制硅腔的湿法腐蚀的深度，但激 光破坏后使得湿法腐蚀能够穿透整个硅片的厚度。此 时，通孔的侧壁是两组成70.53°的[111}面 {110
{111}硅的湿法腐蚀工艺及八面体型孔腔结构阵列 {111}硅可以用来加工一些非常有用的新颖的微结构和微 器件，如弹性微结构 87KU d56 194927 gKug5「X 164929 图4.1(111)硅片上制作的弹性微结构
• {111}硅可以用来加工一些非常有用的新颖的微结构和微 器件，如弹性微结构
A A B C (111)硅的腐蚀腔结构示意图 S4800 5.0kV 9 2mm x5.DOk SEIM) 10.um S4800 5.0kV 9.2mm x30.0k SE(M) 1.ooum (a) (b) (111)硅湿法腐蚀的纳米孔腔结构阵列
{100}硅的湿法腐蚀工艺及倒金字塔型孔腔结构阵列 1100 111} <100> {100 腐蚀坑控 11I5 <001> Si <0103 (a)底视图 压敏电阻 硅压力传感器结构 {100硅片上的111}晶面构成 的空间结构
硅压力传感器结构 {100}硅片上的{111}晶面构成 的空间结构