61.1BJT电流源电路 CC 3.高输出阻抗电流源 REF CC BE3 BE2 +y EE REF R I≈lc2 REF EE A1和4分别是T1和T的相对结面积 动态输出电阻,远比微电流源的动态输出电阻为高 HO配E
A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 6.1.1 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 R V V V V I CC B E3 BE2 EE REF − − + = REF 1 3 o C2 I A A I I =
61.1BJT电流源电路 +Vcc 4.组合电流源 T1、R1和T支路产生基准电流 T 长K REF T和I2、T和T构成镜像电流源 R T和T3,T和I构成了微电流源 EE BEI EB4 12 T RI R EE HO配E
6.1.1 BJT电流源电路 4. 组合电流源 T1、R1 和T4支路产生基准电流 IREF 1 CC EE BE1 EB4 REF R V V V V I + − − = T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源
61.2FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 x一P R REF R DD GS ==REF d22=l NMOS 当器件具有不同的宽长比时m T1 8 T2 VDS2 WalL R(4=0) SS ds2 MOSFET基本镜像电路流 HO配E
6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 R V V V I I I DD SS G S O D2 REF + − = = = REF 1 1 2 2 O / / I W L W L I = （=0） ro= rds2 MOSFET基本镜像电路流
61.2FET电流源 D 1 MOSFET镜像电流源a 用T代替R,T1~T3特性相同, T 且工作在放大区,当=0时,输出 电流为 I=W/L)2kn2(s2-V12)2 S2 T2 常用的镜像电流源 HO配E
6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2 n2 GS2 T2 2 D2 2 n2 GS2 T2 ( ) ( / ) ( ) K V V I W L K V V = − = − 用T3代替R，T1 ~T3特性相同， 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 常用的镜像电流源
61.2FET电流源 2. MOSFET多路电流源 +VDp REF DO Kno(l W/L NMOS TO W/L GSO NMOS TI T T T4 REF VGsL VGs GS4 WI/L REF HO配E
6.1.2 FET电流源 2. MOSFET多路电流源 REF 1 1 2 2 D2 / / I W L W L I = REF 1 1 3 3 D3 / / I W L W L I = REF 1 1 4 4 D4 / / I W L W L I = 2 n0 GS0 T0 REF D0 K (V V ) I I = − =