TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 b/Ha CE CE 90 30 00.50.70.9BE/V 图2-6共发射极输入特性曲线
第2章 双极型晶体管及其放大电路 i B /μA u BE/V 0 60 90 0.5 0.7 0.9 30 UCE ＝0 UCE ≥1 图2–6 共发射极输入特性曲线
TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 (1)在l>V的条件下,当vBE< UBE(on)时,≈0 BEon为晶体管的导通电压或死区电压,硅管约为 0.5~0.6V,锗管约为0.1V。当lhE> UBE时,随着uBE 的增大,i开始按指数规律增加,而后近似按直线上升。 (2)当cε=0时,晶体管相当于两个并联的二极管, 所以be间加正向电压时,很大。对应的曲线明显左 移,见图26
第2章 双极型晶体管及其放大电路 (1)在uCE≥1V的条件下，当uBE<UBE(on)时，iB≈0。 UBE(on)为晶体管的导通电压或死区电压，硅管约为 0.5~0.6V，锗管约为0.1V。当uBE > UBE(on)时，随着uBE 的增大，iB开始按指数规律增加，而后近似按直线上升。 (2)当uCE =0时，晶体管相当于两个并联的二极管， 所以b,e间加正向电压时，iB很大。对应的曲线明显左 移，见图2–6
TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 (3)当c在0-1V之间时,随着uc的增加,曲线右 移。特别在0<WE≤UcEa的范围内,即工作在饱和区 时,移动量会更大些 (4)当vε<0时,晶体管截止,i为反向电流。若反 向电压超过某一值时,e结也会发生反向击穿
第2章 双极型晶体管及其放大电路 (3)当uCE在0~1V之间时，随着uCE的增加，曲线右 移。特别在0< uCE ≤UCE(sat)的范围内，即工作在饱和区 时，移动量会更大些。 (4)当uBE<0时，晶体管截止，iB为反向电流。若反 向电压超过某一值时，e结也会发生反向击穿
2章双极型晶体管及其放大申路 三、温度对晶体管特性曲线的影响 温度对晶体管的ε、IcBo和β有不容忽视的影响 其中,E、IcBo随温度变化的规律与PN结相同,即 温度每升高1℃,减小2~2.5mV;温度每升高10℃ cBo增大一倍。温度对β的影响表现为,β随温度的升高 而增大,变化规律是:温度每升高1℃,β值增大 0.5%1%(即△B/7≈(0.5~1)%/℃)
第2章 双极型晶体管及其放大电路 三、温度对晶体管特性曲线的影响 温度对晶体管的uBE、ICBO和β有不容忽视的影响。 其中， uBE 、 ICBO随温度变化的规律与PN结相同，即 温度每升高1℃， uBE减小2~2.5mV；温度每升高10℃， ICBO增大一倍。温度对β的影响表现为，β随温度的升高 而增大，变化规律是：温度每升高1℃， β值增大 0.5%~1%(即Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)
TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 、电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数β和交流电流放大 系数β B和β分别由式(2-2)、(2-10)定义,其数值可以从 输出特性曲线上求出 2共基极直流电流放大系数a和交流电流放大 系数 由式(2-6定义,而定义为,4cB为常数时,集 电极电流变化量Δl与发射极电流变化量△lE之比,即 C C 公1=常数
第2章 双极型晶体管及其放大电路 一、电流放大系数 1共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大 系数β 和β分别由式(2–2)、(2–10)定义，其数值可以从 输出特性曲线上求出。 2 共基极直流电流放大系数 和交流电流放大 系数 由式(2–6)定义，而α定义为，uCB为常数时，集 电极电流变化量ΔIC与发射极电流变化量ΔIE之比，即 =常数 = uB E C I I (2–11)