TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 Aic/mA uor-i BE 4 40uA 放 饱 30uA 和 区 大 20uA 区 lOu A Ou a B CBO CE 截止区 图2-5共射输出特性曲线
第2章 双极型晶体管及其放大电路 uCE 5 10 15 /V 0 1 2 3 4 饱 和 区 截止区 I B ＝40μ A 30μ A 20μ A 10μ A 0μ A i B ＝ －I CBO 放 大 区 i C /mA uCE ＝uBE 图2–5 共射输出特性曲线
HIT 第2章双极型晶体管及其放大申路 (1)基极电流i对集电极电流有很强的控制作用, 即i有很小的变化量△时,ic就会有很大的变化量△ 为此,用共发射极交流电流放大系数β来表示这种控制 能力。β定义为 B △厂n14=常数 (2-10) 反映在特性曲线上,为两条不同/曲线的间隔
第2章 双极型晶体管及其放大电路 (1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用， 即iB有很小的变化量ΔIB时， iC就会有很大的变化量ΔIC。 为此，用共发射极交流电流放大系数β来表示这种控制 能力。β定义为 =常数 = E u B C I I (2–10) 反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔
TH HD 2章双极型晶体管及其放大电路 (2)lc变化对l的影响很小。在特性曲线上表现为, 定而lc增大时,曲线略有上翘(ic略有增大)。这是 因为ucε增大,c结反向电压增大,使c结展宽,所以有 效基区宽度变窄,这样基区中电子与空穴复合的机会 减少,即i要减小。而要保持i不变,所以将略有增 大。这种现象称为基区宽度调制效应,或简称基调效 应。从另一方面看,由于基调效应很微弱,4cE在很大 范围内变化时基本不变。因此,当B一定时,集电极 电流具有恒流特性
第2章 双极型晶体管及其放大电路 (2) uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为， iB一定而uCE增大时，曲线略有上翘(iC略有增大)。这是 因为uCE增大，c结反向电压增大，使c结展宽，所以有 效基区宽度变窄，这样基区中电子与空穴复合的机会 减少，即iB要减小。而要保持iB不变，所以iC将略有增 大。这种现象称为基区宽度调制效应，或简称基调效 应。从另一方面看，由于基调效应很微弱， uCE在很大 范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极
TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路」 2饱和区 e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把 le=u4g(即c结零偏)的情况称为临界饱和,对应点的轨 迹为临界饱和线
第2章 双极型晶体管及其放大电路 2 e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把 uCE =uBE(即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨 迹为临界饱和线
TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 、共发射极输入特性曲线 测量电路见图2-4。共射输入特性曲线是以ucE为 参变量时,d与vE间的关系曲线,即 g=f(nB)收=数 典型的共发射极输入特性曲线如图26所示
第2章 双极型晶体管及其放大电路 二、共发射极输入特性曲线 测量电路见图2–4。共射输入特性曲线是以uCE为 参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 典型的共发射极输入特性曲线如图2–6所示。 i B = f (uBE ) uC E =常数