东南大学远程学院 数字电子技术基础 第十讲 主讲教师:刘其奇
东南大学远程学院 数字电子技术基础 第十讲 主讲教师：刘其奇
2.4TTL门电路 以二极管、三极管为开关元件,电流通过N结的逻 辑门电路称为双极型门电路 冰以MOS管为开关元件,电流通过导电沟道的逻辑门 电路称为单极型门电路。 TTL门电路:晶体三极管一晶体三极管门电路; DTL门电路:晶体二极管一晶体三极管门电路; ECL门电路:射极耦合逻辑门; IL门电路:集成注入逻辑门
2.4 TTL门电路 *以二极管、三极管为开关元件，电流通过PN结的逻 辑门电路称为双极型门电路。 *以MOS管为开关元件，电流通过导电沟道的逻辑门 电路称为单极型门电路。 TTL门电路：晶体三极管—晶体三极管门电路； DTL门电路：晶体二极管—晶体三极管门电路； ECL门电路：射极耦合逻辑门； I 2L门电路：集成注入逻辑门
TIL反相器 Vcc RI R2 R4 +5 4 16{g2 130c V64 T4 V62 D2 T2 ∠D1 75 R3 Vb5 lkQ TTL反相器典型电路
TTL反相器 TTL反相器典型电路 kW R 4 1 kW R 1.6 2 130W R4 V Vcc + 5 (Vi) A kW R 1 3 D1 D2 T1 T 2 T4 T5 (Vo) Y Vb1 Vb2 Vb4 Vb5
2.4.1TTL门电路 (1)TTL反相器工作原理 A)输入低电平(0.3V) T1发射结导通,Vb1被钳位1.0V RI R4 b1 4g2 1309 4K 4 lmA Vb4 T4 CC bs 1 T2 R (h) C Ra1=16K+T2bc结反相电阻 0,I bs1 b1 bs 1 T反相器典型电路 T处于深度饱和状态 V.=0.1+0.3=0.4V
T1发射结导通，Vb1被钳位1.0V =1mA 4 5 1 = 4K V V i = cc b1 b1 - - c结反相电阻 β R =1 6K + T b R V i = C1 2 C1 CC bs1 . , I 0, bs1 ≈ b1 bs1 I >> I T1处于深度饱和状态 V c1 = 0.1 + 0.3 = 0.4V 2.4.1 TTL门电路 （1）TTL反相器工作原理 A）输入低电平（0.3V） TTL反相器典型电路 kW R 4 1 kW R 1.6 2 130W R4 V Vcc + 5 (Vi) A kW R 1 3 D1 D2 T1 T 2 T4 T5 (Vo) Y Vb1 Vb2 Vb4 Vb5
RI R4 +5 4Q 130g2 764 T4 A D2 T2 T2截止,Vc2为高电平, ∠D1 12为低电平 Vc通过R2向T提供基极电流。 TTL反相器典型电路 D2导通,T3截止 R1为后级TTL负载门电路等效电阻。很大。 输出级处于射极跟随状态(放大)。 R很大,i很小,b4=2更小,R2上压降可不予 考虑。Vb B CC 5V VoHⅤc0.70.7=3.6V
RL很大，iL很小， 更小，R2上压降可不予 考虑。Vb4=VCC=5V VOH=VCC-0.7-0.7=3.6V L b i i 4 = T2截止，VC2为高电平， VE2为低电平 VCC通过R2向T4提供基极电流。 T4、D2导通，T5截止。 RL为后级TTL负载门电路等效电阻。很大。 输出级处于射极跟随状态（放大）。 TTL反相器典型电路 kW R 4 1 kW R 1.6 2 130W R4 V Vcc + 5 (Vi) A kW R 1 3 D1 D2 T1 T 2 T4 T5 (Vo) Y Vb1 Vb2 Vb4 Vb5