医学影像电子学公公之 N型半导体 ● ● 硅原子+40什4pCt4 电子空穴对 自由电子 多余电子 ● N型半导体 ●●●● ●(+4p●+5，●0+4)p ④④”①°① 磷原子」 o1 /● 只①⊕”①”© 。 ●(+4P●(+4)●●(+4)● ①④°④°① 多数载流子 一自由电子 施主离子 少数载流子 空穴
医学影像电子学 2.P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 硅原子· ● ● 电子空穴对 空穴 (+4p+4+40 P型半导体 空穴 ● 9999 卡。 ·(+4p+300+40 8O°O°O°g 刚原子 ● /● ● O°O°O°O ●(+4P0+4p0+40 受主离子 多数载流子— 空穴 少数载流子一 自由电子
医学影像电子学公公公 杂质半导体的示意图 多子二空穴 多子一电子 P型半导体 N型半导体 O99 ④●④”④°①° ● O°O0O0O ⊕·⊕”④”⊕ O°OO0O9 ④”④”④”④ 少子一电子 少子一空穴 少子浓度—与温度有关 多子浓度—与温度无关
医学影像电子学△△△公 三.PN结及其单向导电性 1.PN结的形成 PN结合→因多子浓度差→多子的扩散→空间电荷区 →形成内电场→阻止多子扩散，促使少子漂移。 一内电场E P型半导体空间电荷区N型半导体 ⊙°O°⊙O ④ ④·①●④● ⊙oO0O°o ④ ④·①④· ⊙°⊙°⊙C 耗尽层 多子扩散电流 少子漂移电流
医学影像电子学公公公 少子飘移 不充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E工多子扩散 又失去多子，耗尽层宽，E1 内电场E P型半导体耗尽层 N型半导体 O°OO O ⊕ ①④· OO°O Θ ⊕ ①·④· ● O°OO ④ ④ ①●④· 多子扩散电流 少子漂移电流 动态平衡：扩散电流=漂移电流 总电流=0 势全U。结议