2.P型半导体 S Si 空穴 · B Si 硅晶体掺硼出现空穴 硼原子的结构 填补空位 自由电子数<<空穴数 少数载流子多数载流子 因此以空穴导电作为主要导电方式的半导体, 称为空穴半导体或P型半导体(P-type semiconductor)
2. P 型半导体 • 自由电子数 ＜＜ 空穴数 • 少数载流子 多数载流子 • 因此以空穴导电作为主要导电方式的半导体， 称为空穴半导体 或 P 型半导体 (P —type semiconductor ) 。 硅 晶 体 掺 硼 出 现 空 穴 硼原子的结构
N型、P型半导体示意图 N P ④( +(+)( N型半导体 P型半导体 杂质半导体中多数载流子浓度取决于掺杂浓度 少数载流子浓度取决于温度
N 型半导体 P 型半导体 杂质半导体中多数载流子浓度取决于 掺杂浓度 少数载流子浓度取决于 温度 N 型、P 型半导体示意图
62PN结 基本要求: 理解扩散运动、漂移运动、PN结(空间 电荷区、耗尽层、阻挡层)及PN结单向 导电性的概念。 掌握二极管、稳压二极管的工作特点和 基本应用。 PN结的形成 PN结的单向导电性三PN结的结电容四二极管五稳压管六应用
6.2 P N 结 • 基本要求： • 理解扩散运动、漂移运动、PN结（空间 电荷区、耗尽层、阻挡层）及PN结单向 导电性的概念。 • 掌握二极管、稳压二极管的工作特点和 基本应用。 一 PN 结的形成 二 PN 结的单向导电性 三 PN 结的结电容 四 二极管 五 稳压管 六 应用
N PN结的形成 块品片两⊙°., P型和N型 半导体 空穴 自由电子 空间电荷区 N 团。± 内电场方向
一 . PN 结的形成 • 一块晶片两 边分别形成 P 型和N 型 半导体
PN结过程 ·1)多数载流子(P区的空穴和N区的自由电子) 要从浓度大的区域扩散到浓度小的区城,形成空 间电荷区-PN结,产生电场,称为内电场Ea 2)内电场对多数载的扩散运动起阻挡作用,对 少数载流子又起推动作用,这种少数载流子在内 电场作用下有规则的运动称为漂移运动。 随E 扩散运动↓ 达到动态平衡 漂移运动↑ 形成稳定的PN结 Ed不变化
• 1）多数载流子(P 区的空穴和 N 区的自由电子) 要从浓度大的 区域扩散到浓度小的区域，形成空 间电荷区--PN结，产生电场，称为内电场 Ed ； • 2）内电场对多数载的扩散运动起阻挡作用，对 少数载流子又起推动作用，这种少数载流子在内 电场作用下有规则的运动称为漂移运动。 PN结过程： 随Ed 扩散运动 漂移运动 达到动态平衡 形成稳定的PN 结 Ed 不变化