2)载流子的形成 (a)价电子填补空穴,就好像空穴在运 动。而空穴运动的方向与价电子运动的 方向相反,因此空穴运动相当于正电荷 的运动。 半导体内产生载流子电子 空穴
• (a) 价电子填补空穴，就好像空穴在运 动。而空穴运动的方向与价电子运动的 方向相反，因此空穴运动相当于正电荷 的运动。 半导体内产生载流子 自由电子 空穴 2）载流子的形成
(b)当加上一定方向的电场后,就会不断有激 发、复合过程,出现两部分的电流,即 电子电流:自由电子作定向运动所形成的 电流; 空穴电流:被原子核束缚的价电子递补 空穴所形成的电流
• (b) 当加上一定方向的电场后，就会不断有激 发、复合过程，出现两部分的电流，即 电子电流： 空穴电流： 自由电子作定向运动所形成的 电流； 被原子核束缚的价电子递补 空穴所形成的电流
二杂质半导体 ·杂质半导体在本征半导体中掺入微 量的杂质(某种元素),而形成的半导体 N型半导体 杂质半导体 P型半导体
二.杂质半导体 • 杂质半导体——在本征半导体中掺入微 量的杂质(某种元素），而形成的半导体。 杂质半导体 N 型半导体 P 型半导体
1.N型半导体 在硅(或锗)的晶体中掺人少量的五价元素(如 磷元素),如图所示,多余的第五个价电子很容 易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子。 Si S 多余电子 P+ S 磷原子的结构 硅晶体中掺磷出现自由电子
• 在硅（或锗）的晶体中掺人少量的五价元素（如 磷元素），如图所示，多余的第五个价电子很容 易挣脱磷原子核的束缚而成为自由电子。 1. N 型半导体 磷原子的结构 硅晶体中掺磷出现自由电子
半导体中的自由电子数目大 量增加,于是有: N 自由电子数>>空穴数 多数载流子少数载流子( ·因此以自由电子导电作为主,( 要导电方式的半导体,称为 电子半导体或N型半导体N型半导体示意图 (N— pe semiconductor)
• 半导体中的自由电子数目大 量增加，于是有： • 自由电子数 ＞＞ 空穴数 • 多数载流子 少数载流子 • 因此以自由电子导电作为主 要导电方式的半导体，称为 电子半导体或 N 型半导体 （N —type semiconductor ) 。 N 型半导体示意图