二、静态写入过程 H ④2 M①②③ 4 H2 H H、=H 等磁场强度线 磁介质磁滞回线 磁介质纵向磁化区 ①:H>H2,正向饱和磁化 ②:H<H<H2,反转磁化,但不饱和---<M ③:H1<H<H,不能反转磁化 M ④:H<H1,--M
二、静态写入过程 g 等磁场强度线 Hx = H2 ② ② -Mr ① ③ ③ ④ Mr ④ Hx = Hc Hx = H1 d t 磁介质纵向磁化区 Mr Hc H1 H2 H M 磁介质磁滞回线 ① ： Hx > H2 , 正向饱和磁化 ------- Mr ② ： Hc < Hx < H2 , 反转磁化，但不饱和 ------- < Mr ③ ： H1 < Hx < Hc , 不能反转磁化 ------- < |-Mr | ④ ： Hx < H1 , ------- -Mr
存在过渡区(△x), 它是限制记录密度的主要因素 dM/dx =(dM/dH).(dH/dx) 所以,要求 (1)磁化强度梯度大(dMdH), 即媒体退磁曲线陡,矩形比大。 (2)水平方向磁场强度梯度(dH/dx)大
• 存在过渡区(△x)， 它是限制记录密度的主要因素 dM/dx = (dM/dH)·(dH/dx) 所以，要求 （1）磁化强度梯度大(dM/dH)， 即媒体退磁曲线陡，矩形比大。 （2）水平方向磁场强度梯度(dH/dx)大
、动态写入过程 D B 后沿写入: 磁化区边界在后沿,磁化区域的长度主要取决 于磁头前隙边缘磁场后沿的翻转
三、动态写入过程 t1 t2 g v * 后沿写入： 磁化区边界在后沿，磁化区域的长度主要取决 于磁头前隙边缘磁场后沿的翻转 L = v (t2 -t1 ) A B C D
四、自退磁现象 自退磁场 磁性体被磁化后,在其内部产生的减退磁化的反作 用磁场。 He= H+ Hd Ha=-NM(M:自退磁系数) M=xH(x:磁化率)
四、自退磁现象 H 自退磁场： 磁性体被磁化后，在其内部产生的减退磁化的反作 用磁场。 He= H + Hd Hd= -NM ( N:自退磁系数） M= He ( :磁化率） + + + - - - Hd
Hx→M(4)→H4①) H- t h M H2+Ha(2)→M(3)→Hn(3) 自相一致磁化: Hx+Ha40-1)-M(m) 达到磁场与磁化强度互相一致 介质的剩余磁化强度(M)由H和介质的磁滞回线决 定 *自退磁现象不仅减退剩磁,更重要的是扩大了磁化 翻转的过渡区
自相一致磁化： 达到磁场与磁化强度互相一致。 介质的剩余磁化强度（Mr）由 Hd 和介质的磁滞回线决 定 。 * 自退磁现象不仅减退剩磁，更重要的是扩大了磁化 翻转的过渡区。 Hx M (1) Hd (1) Hx + Hd (1) M (2) Hd (2) Hx + Hd (2) M (3) Hd (3) … Hx + Hd (n-1) M (n)