ID/mA Vnc=10V (2)交流参数 ①gm低频跨导 transconductance 反映∨对的控制作用vCCS)041→ agn=△b/△ Ves l vos=const(mnS)(毫西门子) gm可以在转移特性曲线上求取,即曲线的斜率 (3)安全参数 ZD/mA可变电阻区 Vac=6y GS BRXⅩ 反向击穿电压 击穿区 xX:GS、DS 恒流区 5v ②PoM最大漏极功耗 Vac=4v =3V Vr=2V 由PDM=vosb决定 1520夹断区 DS 跳转到目录页
跳转到目录页 ① gm ——低频跨导transconductance 反映VGS对ID的控制作用(VCCS) gm=ΔID/ΔVGS⏐VDS=const (mS) (毫西门子) (3) 安全参数 ① UBRXX——反向击穿电压 XX：GS、DS ② PDM——最大漏极功耗 由PDM= VDS ID决定 (2) 交流参数 gm可以在转 移特性曲线上求取，即曲线的斜率
4.2 JFET 4.2.1结构与符号 4.2.2工作原理与特性曲线 4.2.3主要参数 跳转到目录页
跳转到目录页 4.2 JFET 4.2.1 结构与符号 4.2.2 工作原理与特性曲线 4.2.3 主要参数
4.2.1结构与符号 JFET分 为 N沟道 S102 P沟道 D G N沟道P沟道 G 箭头:P→N 跳转到目录页
跳转到目录页 4.2.1 结构与符号 JFET 分 为：N沟道 P沟道 箭头：P Æ N